Студопедия


Авиадвигателестроения Административное право Административное право Беларусии Алгебра Архитектура Безопасность жизнедеятельности Введение в профессию «психолог» Введение в экономику культуры Высшая математика Геология Геоморфология Гидрология и гидрометрии Гидросистемы и гидромашины История Украины Культурология Культурология Логика Маркетинг Машиностроение Медицинская психология Менеджмент Металлы и сварка Методы и средства измерений электрических величин Мировая экономика Начертательная геометрия Основы экономической теории Охрана труда Пожарная тактика Процессы и структуры мышления Профессиональная психология Психология Психология менеджмента Современные фундаментальные и прикладные исследования в приборостроении Социальная психология Социально-философская проблематика Социология Статистика Теоретические основы информатики Теория автоматического регулирования Теория вероятности Транспортное право Туроператор Уголовное право Уголовный процесс Управление современным производством Физика Физические явления Философия Холодильные установки Экология Экономика История экономики Основы экономики Экономика предприятия Экономическая история Экономическая теория Экономический анализ Развитие экономики ЕС Чрезвычайные ситуации ВКонтакте Одноклассники Мой Мир Фейсбук LiveJournal Instagram

Предварительный усилитель




Рис. 3 Принципиальная электрическая схема предварительного усилителя

 

 

Этот усилитель выполняет две основные функции:

à обеспечивает баланс фаз

à обеспечивает коэффициент усиления ³ 3

 

Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT4.

Усилитель напряжения работает на нагрузку, на мост Вина, на ООС.

Uвых.у = Uн ус. напр = (В)

Рассчитаем скорректированное значение сопротивления нагрузки двухкаскадного усилителя:

Rн ус. напря скоррект = RООС||RвхЦВmin.||Rн ус. напр (Ом)

 

Определим ток в нагрузке:

(А)

Зададимся IKmin4 и UКЭmin4 :

(мА)

(В)

Определим IKMAX4:

IKmax4 = (2~5) ∙ (2·IH4 + IKmin4) (А)

Определим l4 :

Определим напряжение питания:

Зададимся g4 = 0,05

(В)

Принимаем ЕК = (В)

Пересчитаем g4

Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT4:

(Ом)

Принимаем R16 = (Ом)

Определим падение напряжения на резисторе R17 и величину напряжения, до которого зарядится конденсатор С20:

UR17 = EK · g4 (В)

UC20 = ∙Uвых.у. + UКЭmin4 + UR17 (В)

Определим покоя транзистора VT4 - IП4:

(мА)

Определим напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 - UКЭ4:

UКЭ4 = EK – (IП4+ IKmin4) ∙ R16 - UR17 (В)

Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT4:

PКДОП = IП4 · UКЭ4 (Вт)

Выбираем транзистор VT4, соответствующий по мощности (должна не менее чем в два раза превышать расчетную PКдоп), напряжению на участке коллектор – эмиттер (должно быть больше), основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin Iко, мА
VT4              

 

Так как значение Ik0 сильно отличается от IKmin4, то произведем перерасчет с учетом того, что IKmin4= Iko=30 мкА

Определим максимальный ток коллектора транзистора VT4 - IKmax4 :

IKmax4 = (2~5) ∙· (2·IH4 + IKmin4) (мА)

Определим ток базы транзистора VT4:

(мА)

Определим резистор в цепи эмиттера:

(Ом) По ряду Е24 принимаем R17= Ом.

Определим ток делителя:

IД = (2~5)· IБ4 (мА)

Определим значения сопротивлений резисторов делителя базы:

UR16=R16∙( ) (В)

(Ом)

Принимаем R14= (Ом)

UБЭ4= -R14∙( ) (В)

(Ом)

Принимаем R15= (Ом)

(А)

Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера:

(Ф)

Принимаем С19 = (мкФ)

Определим коэффициент усиления каскада на транзисторе VT4:

,

где значение сопротивления в области базы примем rБ4 = 400 (Ом).




(Ом)

Rк~4 = RH4 || R16 (Ом)

Определим входное и выходное сопротивления каскада на транзисторе VT4:

RВХ4= R14 || R15 || (rБ4 + rЭ4· (1+b4)) (Ом)

rК4 = (Ом)

RВЫХ4 = rK4 || R16 (Ом)

Определим входное напряжение каскада на транзисторе VT4:

(В)

Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT3.

. = Uвх4 (В)

Rн ус.наVT3 = RВХ4= (Ом)

Определим ток в нагрузке:

(мА)

Зададимся значениями тока и напряжения IKmin3 и UКЭmin3:

(мА)

(В)

Определим максимальное значение тока коллектора транзистора VT3 - IKMAX3 :

 

IKmax3 = (2~5) · (2·IH3 + IKmin3) (мА)

Определим величину :

 

Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT3:

(Ом)

Принимаем R11 = (Ом)

Определим падение напряжения на разделительном конденсаторе С17:

UC17 = . + UКЭmin3 + UR12 (В)

Определим ток покоя транзистора VT3IП3 :

(мА)

Определим значения напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT3:

 

UКЭ3 = EK – (IП3+ IKmin3)· R11 - UR12 (В)

Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT3:

 

PКДОП = IП3 · UКЭ3 (Вт)

Выбираем транзистор VT3, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin Iко, мА
VT3              

 

Определим ток базы транзистора VT3:

(мА)

Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера:



(Ом)

По ряду Е24 принимаем R12= (Ом)

Определим ток делителя:

IД = (2~5)· Iб3 (мА)

Определим значение сопротивлений резисторов делителя базы:

UR11=R11∙( ) (В)

(Ом)

Принимаем R10= (Ом)

 

UБЭ3= -R10∙( ) (В)

 

(Ом)

Принимаем R9= (Ом)

(А)

Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера :

(Ф)

Принимаем С16 = (Ф)

Определим коэффициент усиления каскада (без ООС) на транзисторе VT3:

где: rБ3 = 400 (Ом)

(Ом)

RK~3 = RH3 || R11 (Ом)

Определим входное сопротивление каскада на транзисторе VT3:

RВХ3=R10||R9||(rб3+rэ3 (1+b3)) (Ом)

Определим выходное сопротивление каскада на транзисторе VT3:

rК3 = (Ом)

RВЫХ4 = rK3 || R11 (Ом)

Определим общий коэффициент усиления каскадов:

 

K=K3∙K4

 

Определим входное напряжение предварительного усилителя:

(В)

 

3.4 Эмиттерный повторитель №1 на транзисторах VT2,VT1

Рис.8 Принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя №1 на транзисторах VT2,VT1

 

Нагрузкой этого эмиттерного повторителя является предварительный усилитель, поэтому:

UН = UBX= (В)

RН = RВХ.3= (Ом)

 

Примем значение тока покоя транзистора VT2 равным 5 мА

IП2 = 5 (мА)

Примем значение максимального напряжения на участке коллектор-эмиттер равным 20 В, тогда минимальное значение этого напряжения составит:

UКЭ2min= 0,1∙UКЭ2max = 2 (В)

Рассчитаем значение напряжения UКЭ2:

UКЭ2=Uн+ UКЭ2min (В)

Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора VT2:

PКдоп2= UКЭ2·IП2 (Вт)

Определим напряжение источника питания:

Ек=2∙UКЭ2 (В)

Примем Ек= (В)

 

Выбираем транзисторы VT1, VT2, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A βmin fгр, МГц Cк, пФ Iко, мА
VT1                  
VT2                  

 

Определим ток базы транзистора VT2:

(мА)

Определим ток базы и ток покоя транзистора VT1:

По графику зависимости от тока эмиттера определяем, что ≈7,5.

(А)

(А)

Примем значение тока делителя равным: (А)

Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера транзистора VT2:

IR8=Iб2+IП2 (А)

(Ом)

Принимаем R8 = (Oм)

UКЭ2К-R8∙IR8 (В)

UR8=R8∙IR8 (В)

Примем значение сопротивления резистора R7 =6200 Ом:

Тогда:

IR7= Iб1 (А)

UR7=R7∙IR7 (В)

Определим значение сопротивлений резисторов в цепи делителя:

(А)

(Ом)

Принимаем R5 = (Ом)

UR5=R5∙IR5 (В)

(В)

(А)

(Ом)

Принимаем R6 = (Ом)

Будем вести расчет эмиттерного повторителя по переменному току:

Определим эквивалентное сопротивление эмиттера RЭ~ :

RЭ~ = RH || R5 || R6 || R8 (Ом)

Определим коэффициент передачи повторителя:

(Ом)

.

Определим входное сопротивление повторителя:

(Ом)

Определим выходное сопротивление повторителя:

RВЫХ.П = rЭ2 (Ом)

Определим значение емкости конденсатора С14:

(Ф)

Примем С14= (мкФ)

Определим входное напряжение повторителя:

(В)


Карты режимов

 

В карте режимов необходимо привести информацию обо всех элементах рассчитанного устройства, сведенную в таблицы, следующего вида:

 

Резисторы:

Позиционное обозначение R, Ом U, В I, А P, Вт Тип
R1* 0,698 0,000032 0,000022 СП3-30-0,125
           
           
           

Конденсаторы:

Позиционное обозначение C, мкФ U, В UMAX, В Тип
С1* 0,043 0,655 К10-17
         
         
         

 

Транзисторы:

Позиционное обозначение Uбэ, В Uкэ, В IБ, А IК, А IЭ, А PК, Вт Тип
VT1* 0,638 4,819 0,0000039 0,000029 0,000033 0,00014 1Т311Л
               
               
               

 

Стабилитроны:

Позиционное обозначение UСТ, В I, мА P, мВт Тип
VD1* 22,549 0,2705 КС512А1
         
         

 

*-примеры

Спецификация элементов

В спецификации элементов необходимо привести информацию о количестве, наименовании, типе и позиционном обозначении (номере) всех элементах рассчитанного устройства, сведенную в таблицы, следующего вида:

Резисторы:

Позиционное обозначение Наименование Количество
R2, R4, R5, R6…* МЛТ-0,125
     
     

Конденсаторы:

Позиционное обозначение Наименование Количество
C1, C2, C3, C4, C5…* К10-17
     
     

Транзисторы:

Позиционное обозначение Наименование Количество
VT1, VT2, VT3…* 1T311Л
     
     

Стабилитроны:

Позиционное обозначение Наименование Количество
VD1* КС512А1
     
     

* - примеры


 





Дата добавления: 2017-12-14; просмотров: 306; Опубликованный материал нарушает авторские права? | Защита персональных данных | ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ


Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: Для студента самое главное не сдать экзамен, а вовремя вспомнить про него. 9606 - | 7299 - или читать все...

 

3.85.143.239 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам | Обратная связь.


Генерация страницы за: 0.022 сек.