Методика измерений сегнетоэлектрических свойств

 

Для исследования зависимости ε(Т) используется схема, по-

зволяющая измерять емкость Со исследуемого образца (Рис.5). Со-

гласно формуле для геометрической емкости плоского конденса-

тора диэлектрическая проницаемость ε выражается как:

 

(10)

 

где εо – 8,85⋅10-12 Ф/м; d - толщина диэлектрического слоя, D – диаметр напылённого контакта.

Для определения Со для каждой температуры необходимо

определить величины Rс по измеренным величинам U, Uo. На

рис. 7: Со – образец (структура SnO₂ – MoO₃ - Ag), сопротивление которого

 

(11)

 

Напряжение на резисторе R определяется из выражения:

 

(12)

 

где Uo – напряжение на выходе генератора, а Rс – емкостное со-

противление исследуемого объекта. Так как Rс >> R = 500 Ом, то

U =UoRωCo.

Измерив зависимость U(T), можно найти ε(T).

 

 

 

 

Рисунок 5. Схема установки для измерения температурной зависимости ёмкости.

Описание схемы:

Г – генератор сигнала (Г3-118),

V1 – вольтметр (РВ7-32) для измерения выходного сигнала гене-

ратора (Uo),

V2 – вольтметр (В3-48) для регистрации напряжения на измери-

тельном резисторе (U),

R = 500 Ом,

V3 – вольтметр (Щ-300) для измерения ЭДС термопары,

DC – двухкоординатный самописец-потенциометр,

Н – нагреватель,

ИП – источник питания нагревателя,

Со – образец MoO₃