Студопедия


Авиадвигателестроения Административное право Административное право Беларусии Алгебра Архитектура Безопасность жизнедеятельности Введение в профессию «психолог» Введение в экономику культуры Высшая математика Геология Геоморфология Гидрология и гидрометрии Гидросистемы и гидромашины История Украины Культурология Культурология Логика Маркетинг Машиностроение Медицинская психология Менеджмент Металлы и сварка Методы и средства измерений электрических величин Мировая экономика Начертательная геометрия Основы экономической теории Охрана труда Пожарная тактика Процессы и структуры мышления Профессиональная психология Психология Психология менеджмента Современные фундаментальные и прикладные исследования в приборостроении Социальная психология Социально-философская проблематика Социология Статистика Теоретические основы информатики Теория автоматического регулирования Теория вероятности Транспортное право Туроператор Уголовное право Уголовный процесс Управление современным производством Физика Физические явления Философия Холодильные установки Экология Экономика История экономики Основы экономики Экономика предприятия Экономическая история Экономическая теория Экономический анализ Развитие экономики ЕС Чрезвычайные ситуации ВКонтакте Одноклассники Мой Мир Фейсбук LiveJournal Instagram

Основні теоретичні положення




Біполярний транзистор – це напівпровідниковий прилад, який має області емітера і колектора одного типу провідності, між якими через тонкий шар бази іншого типу провідності проходить струм неосновних носіїв заряду, інжектованих із високолегованого емітера. Струмом керує напруга між базою та емітером або струм бази.

Робота біполярного транзистора визначається рухом носіїв обох полярностей - електронів та дірок.

Емітерна ділянка біполярного транзистора має високу питому електричну провідність, і її призначенням є інжекція носіїв заряду в базову ділянку.

Колекторна ділянка має низьку питому електропровідність, і її призначенням є екстракція носіїв заряду з базової області.

В базову ділянку інжектуються неосновні для неї носії заряду. Концентрація домішок в базі завжди набагато менша, ніж в колекторі і емітері.

Найважливішою умовою роботи біполярного транзистора є дуже мала ширина базової ділянки (не більше одиниць мікрометрів), завдяки чому основна частина неосновних носіїв, інжектованих емітером, не рекомбінує в базі і досягає колектора.

Неосновні носії інжектують в базову ділянку тоді, коли на емітерний перехід подається пряма напруга.

Біполярний транзистор є активним елементом і використовується для підсилення, генерування та інших перетворень електричних сигналів.

Розрізняють три схеми вмикання транзисторів:

- з спільною базою (СБ);

- з спільним емітером (СЕ) (рис.1);

- з спільним колектором (СК).

Для визначення статичних параметрів транзисторів використовують два види статичних характеристик:

- вихідні ІК = f(UКЕ) при ІБ = const (рис.2);

- вхідні ІБ = f(UБЕ) при UКЕ = const (рис.3).

Рисунок 2 Рисунок 3

 

Основні параметри біполярного транзистора для схеми з спільним емітером:

- вхідний опір Rвх =ΔUБЕ / ΔІБ , при ΔUКЕ = const (сотні Ом–одиниці кОм);

- вихідний опір Rвих =ΔUКЕ / ΔІК , при ΔІБ = const (одиниці–десятки кОм);

- коефіцієнт підсилення за струмом КІ = ΔІК/ΔІБ , при ΔUКЕ =const (десятки–сотні);

- коефіцієнт підсилення за напругою КU=ΔUКE/ΔUБЕ, при ΔІБ=const (сотні–тисячі);

- коефіцієнт підсилення за потужністю КР= КU ∙ КІ (тисячі–десятки тисяч).

 

Вихідний опір Rвих знаходять за вихідними статичними характеристиками транзистора для заданої робочої точки, наприклад, точки Т при постійному базовому струмі ІБ = 40 мкА (рис.2).

Визначають прирощення ∆UКЕ і ∆ІК між точками В і С лінійної ділянки ВАХ для заданого базового струму:

Rвих = ∆UКЕ / ∆ІК =(15В – 1В) / (1,4 – 0,9)∙10-3 А = 28 кОм.

Вхідний опір транзистора Rвх визначають за вхідними статичними характеристиками (рис.3). Точка Т відповідає тому ж режиму, що й на вихідних характеристиках (ІБ = 40 мкА), точки А і Б відповідають аналогічним значенням прирощення базового струму.




За прирощеннями ∆ІБ та ∆UБЕ між точками А і Б вхідної ВАХ при постійній напрузі UКЕ = 8 В, знаходимо

Rвх = ∆UБЕ /∆ІБ = (185 – 140) ∙10-3 В / (50 – 30)∙10-6 А = 2,25 кОм.

Коефіцієнт підсилення за струмом КІ визначаємо за вихідними характеристиками за прирощеннями ∆ІК та ∆ІБ при UКЕ = 8 В = const:

КІ = ∆ІК /∆ІБ = (1,6 – 0,6 ) 10-3 А / (60 – 20)10-6 А = 25.

Коефіцієнт КU визначаємо за вхідними характеристиками при постійному струмі ІБ = 30 мкА між точками К і А за прирощеннями ΔUКE та ΔUБЕ :

КU=ΔUКE/ΔUБЕ=(5 – 0 ) В / (140 – 110)10-3 В =270.

 





Дата добавления: 2018-01-21; просмотров: 204; Опубликованный материал нарушает авторские права? | Защита персональных данных | ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ


Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: Для студентов недели бывают четные, нечетные и зачетные. 9018 - | 7248 - или читать все...

 

18.212.83.37 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам | Обратная связь.


Генерация страницы за: 0.002 сек.