Так как ИС герметизируется путем запрессовки в пластмассовый корпус типа 2, то тепловое сопротивление конструкции определяется
, (4.1)
где
,
- толщина слоя пластмассы (компаунда,
=1,7мм) и ее теплопроводность
(
);
- внутреннее тепловое сопротивление кристалла, которое определяется по формуле
, (4.2)
где
,
- толщина подложки pSi (
=200мкм) и ее теплопроводность
(
);
Температура кристалла рассчитывается по формуле
, (4.3)
где
- температура окружающей среды(
=40
);
- площадь кристалла;
- суммарная мощность элементов.

Тогда
.
.
Так как рабочая температура не превышает допустимую 85
, то никаких конструктивных мер принимать не следует.
Расчет паразитных связей
Определим паразитную емкость в участке, где она наибольшая. Для трех проводников их будет две. Обозначим их как С12 и С13. Частичные емкости между проводниками, параллельно расположенными на подложке и находящимися в окружении других проводников, вычисляют по следующей формуле
, (5.1)
где i,j – номера проводников;
l – длина проводников;
- расчетная диэлектрическая проницаемость(
=
2=6 при
2
1), где
1,
2 – диэлектрические проницаемости соответственно окружающей среды и двуокиси кремния;
- емкостный коэффициент i-ого и j-ого проводников, который рассчитывается для данного случая по следующим формулам
, (5.2)
, (5.3)
где смысл параметров ясен из рисунка 4.1.
=
см;
=
см;
=
см;
=
см;
=
см; l=
см.
![]() |
Рис.5.1. Система параллельных проводников
,
,
пФ,
пФ.
Так как значения паразитных емкостей незначительны, то никаких мер принимать не следует.







