Тепловой расчет микросхемы в корпусе

 

Так как ИС герметизируется путем запрессовки в пластмассовый корпус типа 2, то тепловое сопротивление конструкции определяется

 

, (4.1)

 

где , - толщина слоя пластмассы (компаунда, =1,7мм) и ее теплопроводность

 

( );

 

 - внутреннее тепловое сопротивление кристалла, которое определяется по формуле

 

 

, (4.2)

 

где , - толщина подложки pSi ( =200мкм) и ее теплопроводность

( );

Температура кристалла рассчитывается по формуле

 

, (4.3)

 

где  - температура окружающей среды( =40 );

 - площадь кристалла;

- суммарная мощность элементов.

 

 

Тогда

.

.

Так как рабочая температура не превышает допустимую 85 , то никаких конструктивных мер принимать не следует.

 

Расчет паразитных связей

 

Определим паразитную емкость в участке, где она наибольшая. Для трех проводников их будет две. Обозначим их как С12 и С13. Частичные емкости между проводниками, параллельно расположенными на подложке и находящимися в окружении других проводников, вычисляют по следующей формуле

 

 , (5.1)

 

где i,j – номера проводников;

l – длина проводников;

 - расчетная диэлектрическая проницаемость( = 2=6 при 2 1), где 1, 2 – диэлектрические проницаемости соответственно окружающей среды и двуокиси кремния;

 - емкостный коэффициент i-ого и j-ого проводников, который рассчитывается для данного случая по следующим формулам

 

, (5.2)

 

, (5.3)

 

где смысл параметров ясен из рисунка 4.1.

= см; = см; = см; = см; = см; l= см.

 

 

Рис.5.1. Система параллельных проводников

 

,

 

,

пФ,

пФ.

Так как значения паразитных емкостей незначительны, то никаких мер принимать не следует.

 



Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: