Так как ИС герметизируется путем запрессовки в пластмассовый корпус типа 2, то тепловое сопротивление конструкции определяется
, (4.1)
где , - толщина слоя пластмассы (компаунда, =1,7мм) и ее теплопроводность
( );
- внутреннее тепловое сопротивление кристалла, которое определяется по формуле
, (4.2)
где , - толщина подложки pSi ( =200мкм) и ее теплопроводность
( );
Температура кристалла рассчитывается по формуле
, (4.3)
где - температура окружающей среды( =40 );
- площадь кристалла;
- суммарная мощность элементов.
Тогда
.
.
Так как рабочая температура не превышает допустимую 85 , то никаких конструктивных мер принимать не следует.
Расчет паразитных связей
Определим паразитную емкость в участке, где она наибольшая. Для трех проводников их будет две. Обозначим их как С12 и С13. Частичные емкости между проводниками, параллельно расположенными на подложке и находящимися в окружении других проводников, вычисляют по следующей формуле
|
|
, (5.1)
где i,j – номера проводников;
l – длина проводников;
- расчетная диэлектрическая проницаемость( = 2=6 при 2 1), где 1, 2 – диэлектрические проницаемости соответственно окружающей среды и двуокиси кремния;
- емкостный коэффициент i-ого и j-ого проводников, который рассчитывается для данного случая по следующим формулам
, (5.2)
, (5.3)
где смысл параметров ясен из рисунка 4.1.
= см; = см; = см; = см; = см; l= см.
Рис.5.1. Система параллельных проводников
,
,
пФ,
пФ.
Так как значения паразитных емкостей незначительны, то никаких мер принимать не следует.