2020-01-14
136
В этом процессе используется то, что разные кристаллографические направления кристалла травятся с разной скоростью (остаётся поверхность с ориентацией 111).
| Параметры процесса | Преимущества | Недостатки |
| 1. Ориентация подложки: 111(канавка V-образного сечения) 110(канавка U-образного сечения, не стандартизована) | 1. Простой процесс группового изготовления. | 1. Маскирование для глубинного травления. |
| 2. Маскирование тонкими плёнками: - термически SiO2, - химическим осаждением из паровой фазы при пониженном давлении SiO2 или Si3N4 - металлизация (Cr) для термомеханической обработки. | 2. Ограниченный набор получаемых изображений. | |
| 3. Химическое воздействие: с обратной стороны (мембраны, каналы) - геометрическая форма определяется кристаллографическими плоскостями, с передней стороны (консоли, каналы) - геометрическая форма определяется подтравливанием. | 3. Проблемы с внешними углами. | |
| 4. Процесс группового изготовления ограничен поверхностной реакцией. |
|
|
|
Подробно этапы жидкого химического анизотропного травления представлены на рис. 12
Рис. 12
1. (100 – подложка)
2. p + легирование для получения слоя остановки травителя
3. осаждение эпитаксиального слоя
4. окисление
5. литография и травление SiO2
6. анизотропное травление
Кремниевая поверхностная микрообработка
Главной особенностью этой технологии является то, что она совместима с полупроводниковой технологией, для микрообработки используется КМОП технология.
| Параметры процесса | Преимущества | Недостатки |
| 1. Плазмохимическое осаждение из паровой фазы или химическое осаждение из паровой фазы при пониженном давлении поликристаллического кремния, фосфорокварцевого стекла. | 1. Осмысленно получаемая горизонтальная геометрическая форма | 1. Уменьшенное отношение ширины канала к длине |
| 2. Маскирование полимерами и тонкими плёнками: - нанесение фоторезиста - термически SiO2 - химическим осаждением из паровой фазы при пониженном давлении SiO2 или Si3N4 фосфорокварцевого стекла. | 2. Изменяемый профиль | Сокращение количества материалов |
| 3. Сухое и жидкое термическое окисление. | 3. Есть возможность получать свободные структуры | |
| 4. Геометрическая форма определяется маскированием и при травлении. | 4. Совместимость с КМОП. | |
| 5. Травление (сухое и жидкое) |
LIGA технология
Технология разработана в Германии примерно 30 лет назад. Аббревиатура означает - рентгенолитография, гальваника и формовка. Сущность процесса заключается в использовании рентгеновского излучения от синхротрона для получения глубоких, с отвесными стенками топологических картин в полимерном материале. Излучение синхротрона имеет сверхмалый угол расходимости пучка. Источником излучения являются высокоэнергетические электроны (энергия Е>1ГэВ) движущиеся с релятивистскими скоростями. Глубина проникновения излучения достигает единиц миллиметров. Это обуславливает высокую эффективность экспонирования при малых временных затратах.
|
|
|
SIGA технология
Аббревиатура означает - ультрафиолетовая литография, гальваника и формовка. Из особенностей этого процесса можно отметить, что можно управлять шириной профиля и то, что технология совместима с технологией тонких плёнок.
