2020-01-14
269
Активная выходная проводимость g22И определяется наклоном стоковой характеристики в области насыщения (рис.52 б). Этот параметр находят построением треугольника АВС, по которому определяют приращения тока ΔIС и напряжения ΔUСИ. Тогда активная выходная проводимость
g22И = ΔIС/ ΔUСИ при UЗИ = const. (64)
Таблица 9. Стоковые характеристики полевого транзистора КП303Г при t=20єC.
| Напряжение сток-исток UСИ, В | 1 | 4 | 7 | 8 | 9 | 10 | |
| Ток стока IС, мА, при напряжении затвор-исток UЗИ, В. | 0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 | 2,65 2,25 1,70 1,22 0,65 0,23 0,05 | 5,02 4,00 2,75 1,80 0,98 0,38 0,03 | 5,60 4,30 3,01 2,08 1,11 0,55 0,06 | 5,61 4,30 3,00 2,08 1,15 0,58 0,06 | 5,64 4,32 3,20 2,15 1,30 0,60 0,08 | 5,65 4,30 3,15 2,20 1,30 0,55 0,10 |
Рисунок 57. График зависимости тока стока IС от напряжения сток-истокUСИ при постоянном напряжении затвор-исток UЗИ при t=20єC.
Таблица 10. Стоковые характеристики полевого транзистора КП303Г при t=25єС.
| Напряжение сток-исток UСИ, В | 1 | 4 | 7 | 8 | 9 | 10 | |
| Ток стока IС, мА, при напряжении затвор-исток UЗИ, В. | 0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 | 2,64 2,10 1,60 1,10 0,55 0,20 0,05 | 4,37 3,65 2,55 1,75 0,97 0,40 0,05 | 4,78 4,20 3,00 2,00 1,13 0,42 0,06 | 5,10 4,22 3,02 2,00 1,15 0,42 0,06 | 5,10 4,23 3,05 2,01 1,15 0,43 0,05 | 5,10 4,224 3,04 2,05 1,14 0,42 0,05 |
|
|
|
Рисунок 58. График зависимости тока стока IС от напряжения сток-истокUСИ при постоянном напряжении затвор-исток UЗИ при t=65єC.
Таблица 11. Стоковые характеристики полевого транзистора КП303Г при t=33є С.
| Напряжение сток-исток UСИ, В | 1 | 4 | 7 | 8 | 9 | 10 | |
| Ток стока IС, мА, при напряжении затвор-исток UЗИ, В. | 0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 | 3,20 2,40 2,30 1,20 0,85 0,15 0,05 | 4,80 3,55 2,75 1,60 1,15 0,25 0,10 | 4,87 3,75 2,85 1,90 1,17 0,45 0,15 | 4,90 3,90 2,95 1,90 1,20 0,52 0,20 | 4,91 3,90 2,96 1,91 1,21 0,53 0,22 | 4,91 3,90 2,95 1,90 1,20 0,52 0,21 |
Рисунок 59. График зависимости тока стока IС от напряжения сток-истокUСИ при постоянном напряжении затвор-исток UЗИ при t=41єC.
Таблица 12. Стоковые характеристики полевого транзистора КП303Г при t=40С.
| Напряжение сток-исток UСИ, В | 1 | 4 | 7 | 8 | 9 | 10 | |
| Ток стока IС, мА, при напряжении затвор-исток UЗИ, В | 0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 | 3,70 2,10 1,17 1,20 0,85 0,35 0,07 | 4,50 3,65 2,65 1,55 1,05 0,45 0,10 | 4,55 3,85 2,70 1,73 1,15 0,47 0,15 | 4,54 3,84 2,70 1,75 1,14 0,52 0,14 | 4,60 3,86 2,71 1,76 1,13 0,49 0,14 | 4,60 3,86 2,71 1,77 1,15 0,49 0,14 |
Рисунок 60. График зависимости тока стока IС от напряжения сток-истокUСИ при постоянном напряжении затвор-исток UЗИ при t=35єC.
Таблица 12. Стоковые характеристики полевого транзистора КП303Г при t=59С.
| Напряжение сток-исток UСИ, В | 1 | 4 | 7 | 8 | 9 | 10 | |
| Ток стока IС, мА, при напряжении затвор-исток UЗИ, В. | 0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 | 3,47 3,00 2,75 1,94 0,90 0,20 0,05 | 3,57 3,10 2,80 2,00 1,05 0,30 0,05 | 4,27 3,87 3,45 2,69 1,45 0,50 0,07 | 4,54 4,00 3,52 2,70 1,50 0,54 0,10 | 4,53 4,01 3,53 2,72 1,51 0,53 0,10 | 4,55 4,00 3,55 2,75 1,50 0,55 0,09 |
|
|
|
Рисунок 61. График зависимости тока стока IС от напряжения сток-истокUСИ при постоянном напряжении затвор-исток UЗИ при t=27єC.
Для расчета активной выходной проводимости полевого транзистора КП303Г воспользуемся формулой (64)
εg 
εg=20%
1. 
2. 
3. 
4. 
5 
6. 
Таблица 13 Активная выходная проводимость транзистора КП303Г.
| №; t,С | Активная выходная проводимость g, мА/В. | g±∆g, мА/В. |
| 1, при t=20є С. | 0,060 | 0,06±0,01 |
| 2, при t=59є С. | 0,025 | 0,025±0,005 |
| 3, при t=40є С. | 0,030 | 0,030±0,006 |
| 4, при t=33є С. | 0,044 | 0,044±0,009 |
| 5, при t=27є С. | 0,050 | 0,05±0,01 |
| 6, при t=25є С. | 0,057 | 0,057±0,011 |
Вывод
В ходе эксперимента по полученнчм данным была найдена активная выходная проводимость g при различных температурах. Она была определенна по наклону стоковой характеристики в области насыщения. Активная выходная проводимость полевого транзистора КП303Г при температуре t=20єС имеет следующее значение:
, при εg=20%.
Теоретически ожидаемое значение проводимости составляет g теор= 0,07 мА/В.Полученные данные согласуются с теоретически ожидаемыми.
В ходе изучения зависимости стоковых характеристик от температуры было выяснено:с увеличением температуры наблюдалось изменение тока стока ― ток стока уменьшается с увеличением температуры.
Литература
1. Автоматизация и проектирование матричных КМОП БИС. М.: Радио и связь,1991.-256с.
2. Андреев В.А. Мощный полевой транзистор./Что нового в науке и технике,2005.-34-37стр
3. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Советское радио,1978.-354с.
4. Быков Р.Е. и др. Телевидение- Москва: Высшая школа,1990.-167с.
5. Викулин И.М. Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Радио и связь,1990.-264с.
6. Воробьев Ю.В. и др. Методы исследования полупроводников – Киев: Высшая школа,1988.-230с.
7. Гергель В.А. Зеленый А.П. Особенности перезарядки поверхностных состояний в МДП-структурах./Микроэлектроника,1998.-93-94стр.
8. Ефимов И. Е. и др. Микроэлектроника: проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника. М.: Высшая школа,1987.- 416с.
9. Жеребцов И.П. Основы Электроники. – Л.:Эноргоатомиздат,1990.- 352с.
10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах М.:Мир,1984.-456с.
11. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение. - М.: Радио и связь,1984.-217с.
12. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов.-Л.:Энергия,1975.-304с.
13. Майоров С.А. Полевые транзисторы, технологии и их применение. - М.: Советское радио,1971.-230с.
14. Митрофанов О.В. и др. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа,1987.-212с
15. Неизвестный С.И. И Никулин О.Ю. Приборы с зарядовой связью. Устройство и основные принципы действия./Электротехника,2005.- 14-20стр.
16. Неизвестный С.И. И Никулин О.Ю.Важные свойства, основные характеристики ПЗС и телесистема на их основе./Электротехника,2005.- 14-20стр.
17. Носов Ю.Р. и др. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью. – М.: Советское радио,1976.-144с.
18. Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы.- М.: Высшая школа, 1987.-479с.
19. Пикуса Г.Е. Физика поверхности полупроводников. – М.: Издательство иностранной литературы,1959.-432с.
20. Приборы с зарядовой связью.(Сборник статей)-М.:Знание,1983.-63с.
21. Рембеза С.И. Методы исследования основных параметров полупроводников.- Воронеж: Издательство Воронежского университета,1989.-221с.
22. Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором.- М.: Советское радио, 1971.-142с.
23. Севин Л.И. Полевые транзисторы. М.: Советское радио,1968.-184с.
24. Столярский Э. Измерение параметров транзисторов. М.: Советское радио,1989.-234с.
25. Сыноров В.Ф. Чистов Ю.С. Физика МДП-структур. В.: Издательство воронежского университета,1989.-223с.
|
|
|
26. Физическая энциклопедия 4т.Гл. редактор Прохоров А.М. М.: Большая российская энциклопедия,1994.-704с.
27. Шалимова К.В. Физика полупроводников. – М.:Энергия,1971.- 312с.
28. Эндерлайн Р. Микроэлектроника для всех. Введение в мир интегральных микросхем: основы функционирования, технология изготовления и применения. М.: Мир, 1989.-192с.
