Изменение характеристик стабилизатора при наличии сопротивления нагрузки

Изменение коэффициента стабилизации K _сти коэффициента полезного действия  проводятся при подключенной к выходу стабилизатора нагрузке и при максимальных значениях напряжения питания. Диапазон выбора величины Rн должен быть таким, чтобы . Используя данные измерений, проведенных в п.2 и, если необходимо провести дополнительные измерения и вычислить по приведенным выше формулам коэффициент стабилизации, коэффициент полезного действия и выходное сопротивление стабилизатора при данном сопротивлении нагрузки.

Требования к оформлению отчета

Результаты выполнения лабораторной работы предоставляются в виде отчета. Выполняется один отчет на бригаду, при этом каждый студент обязан загрузить отчет о выполнении лабораторной работы в раздел Портфолио в ОРИОКС.

Отчет должен содержать:

1. Результаты измерений ВАХ и дифференциального сопротивления стабилитрона, совмещенные для каждого типа включения (т.е. ВАХ и Ri должны быть изображены в одной системе координат)

2. Результаты измерения коэффициента стабилизации К_ст и коэффициента полезного действия и условия (значения напряжений и токов, величину Rб и Rн) измерений

3. Расчет К_ст и  по данным измерений для сравнения с измеренными значениями

4. Выводы по работе (по каждому пункту отчета)

Отчет по лабораторной работе выполняется в текстовом редакторе MS Word в формате.doc или.docx. Название файла, загружаемого в Портфолио студента в ОРИОКС, должно иметь вид X_Фамилия_Y, где X – номер лабораторной работы, Y – вариант.

Рекомендуемая литература

1. Гуртов, В. А.Твердотельная электроника: Учеб. пособие / В. А. Гуртов; ПетрГУ. – Петрозаводск, 2004. – 312 с.

2. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение//Под ред. Ф.П. Кесаманлы и Д.Н. Наследова. М.: Наука,1973.

3. Валиев К.А. Квантовые компьютеры: надежды и реальность (изд.2-е, испр.)//К.А. Валиев, А.А. Кокин, РХД, 2004, 320 с.

4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов //С. Зи. М.:Мир, 1984. Т. 1, 456 с.; Т. 2, 456 с.

5. Morkoz H. Nitride Semiconductors and Devices//2nd ed.; Springer Verlag,Verginia, 2006, 1000 p.

6. Игумнов Д.В., Касаткина Т.П. Основы полупроводниковой электроники. Учебное пособие для вузов 2е издание, дополн. – М. Горячая Линия – Телеком 2011

7. Изъюрова Г.И., Королев Г.В. и др., Расчет электронных схем. Уч.пособие для вузов 1987 г.