Теоретическое обоснование

- переходом называется контакт двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой – дырочную проводимость.

На границе раздела двух полупроводников возникает диффузия основных носителей тока через границу -перехода: электронов от - до -области, а дырок в обратном направлении. В - полупроводнике вследствие ухода электронов вблизи границы образуется некомпенсированный положительный заряд ионизированных донорных атомов. В - полупроводнике образуется отрицательный заряд неподвижных ионизированных акцепторов. Эти объемные заряды образуют вблизи границы двойной электрический слой, электрическое поле которого препятствует движению основных носителей тока через границу -перехода. Толщина двойного слоя составляет примерно м, а контактная разность потенциалов – десятые доли вольта. Носители тока при обычных температурах не способны преодолеть такую разность потенциалов, поэтому равновесный контактный слой является запираючим.Если на - полупроводник подать положительный потенциал, а на - полупроводник – отрицательный потенциал, то запирающее слой расширяется и его сопротивление увеличивается. Через - переход течет малый ток, обусловленный неосновными носителями. Если на - полупроводник подать отрицательный потенциал, а на - полупроводник – положительный, ширина запираючого слоя уменьшается, его сопротивление падает, и основные носители движутся через - переход, образуя большой ток основных носителей. Основной ток намного больше тока неосновных носителей. Значит, - переход имеет вентильные свойства, то есть пропускает ток только в одном направлении.