Центральные вопросы раздела

 

o Обоснование требований, предъявляемых к теплофизическим свойствам материалов и качеству обработки поверхности при производстве подложек пленочных интегральных микросхем.

o Технология нанесения тонких пленок разного функционального назначения при изготовлении тонкопленочных ИМС.

o Основы фотолитографии, как процессы формирования элементов тонкопленочных ИМС.

o Основы шёлкографии (трафаретной печати) в производстве толстопленочных ИМС.

o Обоснование требований, предъявляемых к исходным полупроводниковым материалам для производства полупроводниковых ИМС.

o Технология получения сверхчистых полупроводниковых материалов.

o Технология промышленного выращивания полупроводниковых монокристаллов.

o Процесс приготовления пластин из полупроводниковых материалов.

o Основы планарной технологии при производстве полупроводниковых ИМС.

o Основные технологические процессы формирования транзисторных структур и их сравнительная оценка.

 

Вопросы для самоконтроля

 

4.1. Приведите классификацию современных микросхем в зависимости от применяемых в них материалов и технологии их производства? 

4.2. Перечислите основные технологические требования, предъявляемые к материалам подложек пленочных интегральных микросхем?

4.3. Какими технологическими свойствами должны обладать тонкие пленки, применяемые при производстве тонкопленочных интегральных микросхем?

4.4. Назовите основные этапы формирования элементов тонкопленочных интегральных микросхем при создании их методом фотолитографии?

4.5. Изложите технологические основы нанесения на подложку тонких пленок методом вакуум-термического напыления?

4.6. В чем состоят основы технологии нанесения на подложку тонких пленок способом ионно-плазменного распыления? В каких случаях применяется этот метод и почему?

4.7. С какой целью и каким образом проводится стабилизация свойств тонких пленок?

4.8. С какой целью полупроводниковые материалы для производства из них интегральных микросхем тщательно очищают от примесей, а затем выращивают полупроводниковые монокристаллы?

4.9. На каком принципе основана технология зонной плавки при очистке полупроводниковых материалов от примеси и в каких вариантах она может быть реализована?

4.10. Из каких двух этапов состоит процесс очистки полупроводниковых материалов от примесей?

4.11. На каких принципах основана современная технология получения полупроводниковых монокристаллов?

4.12. С какой целью при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем необходимо полупроводник легировать донорными или акцепторными примесями?

4.13. Какие методы легирования полупроводниковых материалов применяются при формировании транзисторных структур при планарной технологии производства интегральных микросхем?

4.14. Приведите сравнительные технические возможности методов формирования транзисторных структур при производстве полупроводниковых интегральных микросхем?

4.15. В чем состоят принципиальные различия в технологиях производства толстопленочных и тонкопленочных интегральных микросхем?

 

Методические указания по самостоятельному изучению части II - «Технология конструкционных материалов»

        

    В ходе изучения технологии конструкционных материалов студентам рекомендуется следующая последовательность работы над учебным материалом:

· при изучении дисциплины следует руководствоваться программой и методическими указаниями к изучению разделов и тем, приведенными в данном пособии;

· перед началом изучения каждого раздела необходимо прочитать абзац, посвященный целям изучения данного раздела. Обратить внимание на требуемый уровень усвоения изложенного в разделе материала;

· пользуясь программой найти в рекомендуемой литературе учебный материал, соответствующий содержанию тем раздела;

· при изучении учебного материала следует руководствоваться рубрикой «Центральные вопросы раздела»;

· завершив изучение раздела, чтобы развить у себя способность к обобщению и творческому мышлению, необходимо обратиться к вопросам для самоконтроля, ответы на которые можно дать, если вами изучено все содержание темы.

    В итоге самостоятельного изучения темы нужно подвести итог. С помощью [2] студент должен усвоить главное, что нужно осмыслить, обязательно запомнить и использовать в своей будущей деятельности.

   

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ

 

После изучения теоретической части курса студент выполняет контрольную работу в соответствии с вопросами заданий, варианты которых приведены в прил. 1.

Вариант задания на контрольную работу выбирается студентом по двум последним цифрам номера его зачетной книжки (шифр студента).

Каждый вариант контрольного задания содержит 5 вопросов, на каждый из которых студент должен дать письменный ответ. Содержание вариантов вопросов контрольных заданий представлено в прил. 2.

При выполнении контрольной работы порядок изложения вопросов должен соответствовать нумерации, приведенной в вариантах контрольного задания.

Ответы на поставленные вопросы должны быть полными, четкими, ясными.

Приветствуется, когда при изложении студент использует опыт своей практической деятельности.

Недопустимо механическое переписывание текста из рекомендованной литературы.

При ответе на вопрос текст необходимо иллюстрировать рисунками, таблицами, графиками, математическими формулами, поясняющими изложение, которые желательно подвергнуть смысловому анализу.

В конце работы необходимо привести список литературы, которая была использована при выполнении домашнего задания, поставить свою подпись и дату выполнения задания.

Контрольная работа выполняется в отдельной тетради, которая высылается в Университет или УКП на рецензию. После рецензии работы преподавателем работа предъявляется при сдаче зачета по курсу.