Центральные вопросы раздела

 

o Классификация методов сварки и области их применения при эксплуатации и ремонте авиационного радиотехнического оборудования.

o Физический принцип и разновидности сварки плавлением. Достоинства и недостатки основных способов сварки, относящихся к этому классу.

o Физические основы сварки давлением и возможные варианты использования разновидностей этого вида сварки при производстве электромонтажных работ.

o Основы пайки, припои и флюсы, технологический инструмент, применяемый при выполнении электромонтажных работ в ходе эксплуатации и ремонта радиотехнического оборудования.

o  Физические основы склеивания, применяемые материалы и области использования в авионике.

 

Вопросы для самоконтроля

3.1. Какие требования предъявляются к неразъемным соединениям в авиационном радиоэлектронном оборудовании?

3.2. В чем состоят достоинства и недостатки сварки плавлением с использованием энергии электрической дуги?

3.3. Какими достоинствами и недостатками обладают методы электроконтактной сварки и где они применяются?

3.4. Какие задачи решаются с использованием сварки электронным или лазерным лучами?

3.5. Какими способами решаются проблемы защиты сварного соединения от воздействий окружающей атмосферы?

3.6. Какими путями можно решать проблему создания неразъемных соединений металлов, на поверхности которых образуются тугоплавкие или химически стойкие окисные пленки?

3.7. Какие методы сварки применяются в микроэлектронике и почему?

3.8. Какими свойствами металлов определяется качество сварки или свариваемость металлов?

3.9. Чем отличается по физическому принципу пайка от сварки?

3.10. Какое назначение при пайке имеют припои и флюсы? Какие требования предъявляются к ним в интересах получения высокой надежности паяного соединения?

3.11. В каких случаях используются при производстве и ремонте радиотехнического оборудования низкотемпературные и в каких случаях высокотемпературные припои?

3.12. Почему при производстве электромонтажных работ должны применяться только бескислотные флюсы?

3.13. Какие процессы могут протекать в паяном соединении в процессе эксплуатации радиоэлектронного оборудования?

3.14. Какие существуют методы контроля неразъемных соединений, выполненных методом сварки и пайки?

3.15. В каких случаях применяются в радиотехническом оборудовании клеевые соединения, и какие материалы и инструменты при этом применяются?

 

Раздел 4. Технология микроэлектроника

 

       Изучение технологических процессов, которые имеют место в микроэлектронике, ставит перед собой цель познакомить обучающихся с самыми современными технологиями создания различного класса интегральных микросхем.

       В этом разделе прежде всего следует усвоить требования, предъявляемые к полупроводниковым материалам, применяемым для производства полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) с высокой плотностью монтажа и большой степенью интеграции элементов. Далее в разделе изложены возможные пути реализации указанных требований путем применения технологий получения сверхчистых полупроводниковых материалов и выращивания из них монокристаллов. Центральное место в разделе занимает описание технологий формирования основных элементов ИМС – транзисторных структур.

       В разделе также изложены широко применяемые в микроэлектронике пленочные технологии; рассматривается технология производства пленочных (гибридных) ИМС.

 

Тема 4.1. Технология производства пленочных (гибридных) интегральных микросхем [1, ч. II]

 

      Технология получения подложек пленочных ИМС. Технология производства тонко- и толстопленочных ИМС методами фотолитографии и шёлкографии.

 

Тема 4.2. Технология получения полупроводниковых материалов [1, ч. II]

 

      Технологические процессы получения сверхчистых полупроводниковых элементов и химических соединений. Способы выращивания полупроводниковых монокристаллов и их легирования. Получение полупроводниковых пластин и их поверхностная обработка.

 

Тема 4.3. Технология формирования транзисторных структур в полупроводниковых ИМС. Роль современных технологий в функциональной микроэлектронике [1, ч. II]

 

      Сравнительная оценка способов формирования p-n переходов и транзисторных структур. Основы планарной технологии создания структур в полупроводниковых ИМС на базе диффузионного легирования, ионной имплантации и эпитаксиального наращивания. Роль современных технологий в функциональной микроэлектронике.