Движение прорастающих дислокаций в напряженных пленках

Согласно классическим представлениям [8] скорость движения дислокации может быть представлена в виде:

 (9)

где V₀ – константа, E_ν – энергия активации движения дислокации путем скольжения, τ_эфф – эффективное напряжение, действующее на дислокацию. Величина эффективного напряжения пропорциональна ε (а на начальной стадии релаксации, когда ε ≈ f, она пропорциональна разнице параметров решеток Ge и Si) и возрастает с увеличением толщины пленки h. Таким образом, с помощью этих двух параметров ε и h можно регулировать величину эффективного напряжения, определяющую скорость движения дислокации при конкретной температуре.