DRAM ECC/PARITY Select (Режим коррекции ошибок/проверка по четности)

Параметр появляется только для набора 430HX (например, в материнской плате ASUSTeK P/I-P55T2P4) или 440FX/LX и только в том случае, если установлены модули памяти с истинной четностью. В некоторых вариантах BIOS этим параметром может устанавливаться только вид проверки, а разрешение на проверку устанавливается параметром Data Integrity (PAR/ECC). Такие планки часто называют также 36-разрядными.

Может принимать значения:

· Parity — в случае возникновения ошибки на монитор выдается сообщение о сбое по четности в памяти и работа компьютера останавливается

· ECC — (Error Control Correction) в случае возникновения одиночной ошибки она исправляется и работа продолжается. Если имеет место не одиночная ошибка, то работа компьютера также прекращается. Следует только учесть, что, по данным Intel, скорость обмена с памятью при включении этого режима уменьшается приблизительно на 3%.

Fast RAS# to CAS# Delay (Интервал между RAS и CAS)

При регенерации памяти строки и столбцы адресуются отдельно, поэтому этот параметр устанавливает интервал между сигналами RAS и CAS.

SDRAM Configuration (Конфигурация SDRAM)

Параметром определяется, должна ли программа BIOS сама определять временные характеристики доступа к памяти на основании информации из блока SPD или разрешить это сделать пользователю.

Может принимать значения:

· By SPD — параметры доступа устанавливаются по SPD

· 7 ns (143 Mhz) — параметры доступа устанавливаются BIOS как для памяти с временем доступа 7 ns и частотой шины 143 MHz

· 8 ns (125 Mhz) — параметры доступа устанавливаются BIOS как для памяти с временем доступа 8 ns и частотой шины 125 MHz

· Disabled — устанавливаются пользователем

SDRAM RAS Precharge Time (Синхронная память — время предварительного заряда)

Параметр позволяет определять быстрое или медленное накопление заряда по RAS до начала цикла регенерации памяти. Установка значения Fast увеличивает быстродействие, но Slow повышает стабильность работы компьютера, поэтому значение Fast следует устанавливать в случае уверенности в качестве памяти.

Может принимать значения:

· Fast — быстро

· Slow — медленно

SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS) (Cинхронная память — задержка CAS/От RAS к CAS)

Этот параметр позволяет выбирать между длительностью сигнала CAS и задержкой между сигналами RAS и CAS. Значение этого параметра зависит от характеристик SDRAM, примененной в материнской плате, и от быстродействия процессора. Поэтому изменять этот параметр стоит крайне осторожно.

Может принимать значения:

· 2/2

· 3/3

SDRAM CAS to RAS Delay (Задержка между CAS и RAS)

Параметр определяет значение задержки после выдачи сигнала RAS до появления сигнала CAS для синхронной памяти. Чем меньше это значение, тем быстрее доступ к памяти. Тем не менее изменять его следует осторожно.

Параметр может принимать значения:

· 3 — три такта задержки

· 2 — два такта задержки

SDRAM CAS# Latency (Задержка CAS для SDRAM)

Устанавливает значение задержки выдачи сигнала CAS для SDRAM. Меньшее значение увеличивает производительность системы. Рекомендуется устанавливать меньшее значение для SDRAM с быстродействием 10 ns или лучше.

Может принимать значения:

· 2T

· 3T

SDRAM Banks Close Policy (Правила закрытия банков SDRAM памяти)

Параметр был введен для плат с набором 440LX из-за того, что память с 2-х банковой организацией некорректно работает в этих платах, если параметры доступа к банкам памяти установлены по умолчанию. В наборе 430TX этого не требовалось, так правила доступа для различной памяти были одинаковы. Изменять установки BIOS по умолчанию для этого параметра следует только в случае нестабильной работы памяти.

Может принимать значения:

· Page Miss — используется для двухбанковой памяти

· Arbitration — для памяти из 4-х банков.

DRAM Idle Timer (Таймер пассивного состояния памяти)

Этим параметром устанавливается время (в тактах) до закрытия всех открытых страниц памяти. Влияет как на EDO, так и на SDRAM память.

Может принимать значения:

· 0,

· 2,

· 4,

· 8,

· 10,

· 12,

· 16,

· 32.

Snoop Ahead (Предсказание)

Разрешение этого параметра позволяет потоковый обмен данными между PCI и памятью, предсказывая, какие данные будет необходимы в следующий момент времени и тем самым ускоряя передачу данных.

Может принимать значения:

· Enabled — разрешено

· Disabled — запрещено

Host Bus Fast Data Ready (Быстрая готовность данных на шине)

Разрешение этого параметра позволит снимать данные с шины одновременно с их выборкой. В противном случае данные будут удерживаться на шине один дополнительный такт.

Может принимать значения:

· Enabled — разрешено

· Disabled — запрещено

Refresh RAS# Assertion (Задание RAS для регенерации)

Этим параметром устанавливается количество тактов (т.е. длительность RAS) для цикла регенерации. Принимаемые значения определяются качеством памяти и набором микросхем (chipset). Меньшее значение увеличивает производительность.

MA Wait State (Такты ожидания до чтения памяти)

Параметр позволяет установить или снять дополнительный такт ожидания до начала чтения памяти. Для памяти типа EDO один такт всегда есть по умолчанию и установка значения Slow добавляет еще один такт ожидания. Для SDRAM нет такта ожидания по умолчанию и установка Slow один такт вводит.

Может принимать значения:

· Slow — добавляется один такт;

· Fast — нет дополнительного такта ожидания.

SDRAM Speculative Read (SDRAM опережающее чтение)

Разрешение этого параметра позволяет выдавать сигнал чтения немного ранее, чем адрес будет декодирован. Этот прием снижает общие затраты времени на операцию чтения. Другими словами, процессор будет инициировать сигнал чтения одновременно с генерацией того адреса, где находятся необходимые данные. Сигнал чтения воспринимается контроллером DRAM и, если параметр SDRAM Speculative Read разрешен, то контроллер выдаст сигнал чтения до завершения декодирования адреса.

Может принимать значения:

· Enabled — разрешено

· Disabled — запрещено