С уменьшением толщины диэлектрика увеличивается напряженность поля, создаваемая напряжением затвора и, следовательно, увеличивается индуцированный затвором поверхностный заряд,.
С уменьшением толщины диэлектрика увеличивается емкость затвора и уменьшаются
величины и , поэтому уменьшается величина порогового напряжения.
Чем создается фиксированный в окисле заряд и как он влияет на величину порогового напряжения?
Фиксированный в окисле заряд с поверхностной концентрацией N s создаётся примесными ионизированными атомами в диэлектрике и свойствами границы раздела кремний-двуокись кремния. Этот заряд влияет на величину напряжения плоских зон
и соответственно на величину порогового напряжения. В системе кремний-двуокись кремния фиксированный в окисле заряд имеет положительный знак. Соответственно, чем больше Ns тем меньше величина порогового напряжения, это создает в производстве ИС нестабильность порогового напряжения от партии к партии.
Почему акцепторы подложки влияют на величину порогового напряжения?
В случае транзистора с подложкой p-типа концентрация акцепторов в подложке NА влияет на величины контактной разности потенциалов и потенциала инверсии ,а также величину заряда акцепторов в подложке Суммарный поверхностный заряд зависит как от объемной концентрации акцепторов NA так и от напряжения на стоке и подложке, только при UD = = 0 . Чем больше концентрации акцепторов в подложке NA тем больше величина порогового напряжения.