От чего зависит граничное напряжение на стоке, при котором транзистор переходит из крутой области в пологую?

       С увеличеним напряжения на стоке уменьшается разность потенциалов между затвором и каналом. Когда разность потенциалов между затвором и стоком станет равной пороговому напряжению, инверсия вблизи стока исчезает, канал перекрывется ОПЗ и заряд электронов в канале становится равным нулю. После некоторого напряжения нга стоке UD = UDSS дальнейшее увеличение напряжения на стоке не будет приводить к возрастанию тока стока, поскольку все приращение напряжения будет тратиться на перекрытие ОПЗ пристоковой области канала. Таким образом, при UD > UDSS  вольтамперная характеристика перейдет из крутой области в пологую.

Выходные ВАХ МОП транзистора,

|Uзи3|>|Uзи2|>|Uзи1|

Граничное напряжение при котором ВАХ МОП транзистора переходит из крутой области в пологую описывается выражением , при Ub=0 .  Из этого выражения и рассмотренного ранее анализа порогового напряжения транзистора следует, что граничное напряжение зависит от тех же величин, что и пороговое напряжение, т. е. в основном от концентрации примеси в подложке и толщины подзатворного окисла.