Динисторы

Устройство и принцип действия динисторов и тиристоров.

Динисторы - это неуправляемые переключательные диоды.

Наружная р-область и вывод от нее называется анодом. Наружная n-область и вывод от нее называется к атодом. Внутренние р- и n-области называют­ся базами динистора. Крайние р-n переходы называются эмиттерными, а средний р-n переход называется коллекторным.

Если подать на анод «-», а на катод «+» то при этом эмиттерные перехо­ды будут закрыты, коллекторный открыт. Основные носители зарядов из анода и катода не смогут перейти в базу, поэтому через динистор будет протекать только маленький обратный ток, вызванный не основными носителями заряда.

Если на анод подать «+», а на катод «-», эмиттерные переходы открываются, а коллекторный закрывается.

Основные носители зарядов переходят из анода в базу 1, а из катода - в базу 2, где они стано­вятся не основными и в базах происходит интенсивная рекомбинация зарядов, в результате ко­торой количество свободных носителей зарядов уменьшается. Эти носители заряда подходят к коллекторному переходу, поле которых для них будет ускоряющим, затем проходят базу и переходят через открытый эмиттерный переход, т. к. в базах они опять становятся основными. Пройдя эмиттерные переходы, электроны переходят в анод, а дырки - в катод, где они вторич­но становятся не основными и вторично происходит интенсивная рекомбинация. В результате количество зарядов, прошедших через динистор, будет очень мало и прямой ток также будет очень мал. При увеличении напряжения прямой ток незначительно возрастает, т. к. увеличива­ется скорость движения носителей, а интенсивность рекомбинации уменьшается. При увели­чении напряжения до определенной величины происходит электрический пробой коллектор­ного перехода. Сопротивление динистора резко уменьшается, ток через него сильно увеличи­вается и падение напряжения на нем значительно уменьшается. Считается, что динистор перешел из выключенного состояния во включенное эти режимы показаны на рисунке.

I – участок открытого состояния динистора,

II – участок отрицательного сопротивления,

III – участок пробоя коллекторного перехода,

IV – участок в прямом включении, на котором динистор заперт, и приложенное к его выводам напряжение меньше, чем необходимо для возникновения пробоя,

V – участок обратного включения динистора,

VI – участок лавинного пробоя.

Динисторы применяются в виде бесконтактных переключательных устройств, управляемых напряжением.