double arrow

Технология изготовления программируемого элемента


Рис. 4.12 Технология изготовления программируемых элементов

Классификация СБИС ПЛ по данному критерию приведена на рис. 4.12.

Основными технологиями изготовления программируемых элементов, обеспечивающих возможность настройки функциональных преобразователей на выполнение требуемых логических функций и организации соединений между ними, являются:

1. EPROM - программируемые элементы допускают ультрафиолетовое
стирание;

2. ЕЕ PROM - программируемые элементы допускают электрическое
стирание;

3. Flash - программируемые элементы допускают ускоренную электрическую
запись (перезапись);

4. SRAM - программируемые элементы реализованы на статических
запоминающих ячейках;

5. Antifuse - программируемые элементы реализованы на однократно
программируемых, исходно разомкнутых перемычках.

Технология SRAM обеспечивает возможность выполнения неограниченного числа циклов конфигурирования СБИС ПЛ. Указанное свойство полезно на этапе отладки создаваемой специализированной СБИС, а также позволяет, путем загрузки новой конфигурации, изменять алгоритм работы СБИС "на лету", т.е. без выключения ее питания. Однако, поскольку после выключения питания СБИС ПЛ на SRAM ячейках теряет информацию о конфигурации, то после каждого включения питания необходимо выполнить цикл конфигурирования из внешнего, по отношению к СБИС ПЛ, источника хранения конфигурирующих данных.

Технология Flash (EEPROM) допускает выполнение до 10.000 (100) циклов репрограммирования СБИС ПЛ, в том числе, для большинства современных моделей СБИС ПЛ, и после их распайки на плате.

СБИС ПЛ, выполненные по технологии EPROM, в настоящее время, в большинстве случаев, являются однократно программируемыми. Это объясняется тем, что для обеспечения их репрограммируемости вместо дешевого пластмассового корпуса требуется использовать дорогой керамический корпус с "окошком".


Сейчас читают про: