Технология изготовления программируемого элемента

Классификация СБИС ПЛ по данному критерию приведена на рис. 4.12.

Основными технологиями изготовления программируемых элементов, обеспечивающих возможность настройки функциональных преобразователей на выполнение требуемых логических функций и организации соединений между ними, являются:

1. EPROM - программируемые элементы допускают ультрафиолетовое
стирание;

2. ЕЕ PROM - программируемые элементы допускают электрическое
стирание;

3. Flash - программируемые элементы допускают ускоренную электрическую
запись (перезапись);

4. SRAM - программируемые элементы реализованы на статических
запоминающих ячейках;

5. Antifuse - программируемые элементы реализованы на однократно
программируемых, исходно разомкнутых перемычках.

Технология SRAM обеспечивает возможность выполнения неограниченного числа циклов конфигурирования СБИС ПЛ. Указанное свойство полезно на этапе отладки создаваемой специализированной СБИС, а также позволяет, путем загрузки новой конфигурации, изменять алгоритм работы СБИС "на лету", т.е. без выключения ее питания. Однако, поскольку после выключения питания СБИС ПЛ на SRAM ячейках теряет информацию о конфигурации, то после каждого включения питания необходимо выполнить цикл конфигурирования из внешнего, по отношению к СБИС ПЛ, источника хранения конфигурирующих данных.

Технология Flash (EEPROM) допускает выполнение до 10.000 (100) циклов репрограммирования СБИС ПЛ, в том числе, для большинства современных моделей СБИС ПЛ, и после их распайки на плате.

СБИС ПЛ, выполненные по технологии EPROM, в настоящее время, в большинстве случаев, являются однократно программируемыми. Это объясняется тем, что для обеспечения их репрограммируемости вместо дешевого пластмассового корпуса требуется использовать дорогой керамический корпус с "окошком".