Коэффициент инжекции

Определяет долю электронной составляющей в общем токе эмиттера:

Усилительные свойства n+pn транзистора определяет только электронная составляющая тока инжектированных эмиттером носителей заряда, т. к. только они доходят до коллектора. Дырочная составляющая эмиттерного тока никаких полезных функций не выполняет, поэтому ее стремятся свести к минимуму, а параметр максимально приблизить к единице. Для уменьшения отношения необходимо уменьшить исходную концентрацию дырок , т. е. ту концентрацию которую формируют технологическими методами, для этой цели чаще всего толщину базы , с другой стороны концентрацию электронов в эмиттере и их диффузионную длину наоборот надо увеличивать. С учетом этих условий выражение для коэффициента инжекции можно представить в следующем виде:

Согласно одноэлектронной теории должны выполняться равенства:

с учетом которых:

из этого равенства видно, что коэффициент инжекции тем ближе к единице, чем больше разница концентрации атомов примеси в эмиттерных и базовых слоях и меньше толщина базы. Поэтому эмиттерный слой легируют максимально вплоть до вырождения, а базу стремятся сделать как можно тоньше, т. е. транзистор как таковой перестал существовать как прибор трехэлектродной конструкции. При выполнении этих условий может достичь 0,999.