Существует четыре режима работы:
1) нормальный активный;
2) двойной инжекции (насыщения);
3) отсечки;
4) инверсный активный.
Нормальный активный режим обеспечивается прямым включением эмиттерного перехода и обратным коллекторного. В режиме двойной инжекции эмиттерный и коллекторный переходы включены в прямом направлении, т. е. оба осуществляют инжекцию носителей заряда в базу. В режиме отсечки эмитерный и коллекторный переходы включены в обратном направлении. В инверсном активном режиме коллекторный переход включается в прямом, а эмиттерный в обратном направлениях. В нормально активном и инверсно активном режимах транзистор работает как усилительный прибор, и принципиальных отличий в них нет.
В инверсном режиме слаболегированный коллектор не обеспечивает достаточно высокого коэффициента инжекции, в результате чего резко уменьшается усиление. В инверсном режиме коэффициент передачи коллекторного тока можно описать равенством: