Статическая характеристика бип. Транзистора с ОБ

В схеме с общей базом управляющим током является ток эмиттера. Выходные коллекторные характеристики в этом случае выражаются зависимостью:

а входные эмиттерные характеризуются:

Построим выходные характеристики пользуясь моделью Эверса–Мола

I – нормальный активный режим;

II – режим насыщения;

III – режим лавинного пробоя.

– потоки электронов инжектированных из эмиттера.

– потоки электронов инжектированных из коллектора в зоне I они равны нулю.

Реальные характеристики – пунктиром, сплошной – построенные по модели Эверса–Мола.

Если инжекция из эмиттера отсутствует (), то зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база представляет собой обычную ВАХ стандартного p-n перехода, отличие состоит в том, что на рассматриваемом рисунке обратная ветвь ВАХ находится в первом квадрат, а прямая в третьем. В результате инжекции из эмиттера при в коллекторе возникает ток электронов , содержащий в коллекторной цепи ток коллектора , который будет возрастать пропорционально потоку инжектированных из эмиттера электронов. При подаче на коллектор прямого напряжения последний сам будет инжектировать встречный поток электронов (), результирующий поток будет резко уменьшаться до нуля с ростом прямого напряжения на коллекторе, и при дальнейшем увеличении прямого напряжения он приобретет обратное направление. Из рисунка так же видно, что в активном режиме коллекторные напряжения не оказывают влияния на входные характеристики схемы с общей базой. Этот вывод справедлив для большинства практических случаев. Действительно с повышением обратного коллекторного напряжения ток коллектора в активном режиме будет слабо увеличиваться (пунктир) за счет увеличения обратного коллекторного тока и коэффициента передачи эмиттерного тока . Возрастание связано с эффектом Эрли, который заключается в модуляции толщины базы и сопротивления , под которым понимают омическое сопротивление полупроводника в базовой области транзистора при изменении коллекторного напряжения. (см. рис.)

– распределение носителей заряда инжектированных в базу из эмиттера.

Нетрудно увидеть, что эффект Эрли есть постоянно действующий в момент прохождения электромагнитного сигнала. Однако при изменении статических характеристик транзистора он является паразитным эффектом, т. к. может существенным образом изменить характеристики p-n перехода. Поэтому при измерении статистических характеристик используют режимы холостого хода и короткого замыкания. Именно поэтому фиксируют значение напряжения в схеме с общей базой или ток эмиттера. Именно поэтому отличаются характеристики p-n перехода база-эмиттер при замкнутых или разомкнутых электродах база-коллектор.