Лекція № 17
Мета: Вивчити фізико-хімічні властивості діелектриків
Методи: словесний
План:
1 Фізичні властивості діелектриків
2 Хімічні властивості діелектриків
Матеріально-технічне забезпечення та дидактичні засоби, ТЗН:
Схеми
З великої кількості напівпровідникових матеріалів у техніці застосовують в основному германій, кремній, селен і карбід кремнію. Деякі характеристики простих напівпровідників наведено в табл. 4.2.
Ширина забороненої зони елементарних напівпровідників (при 300 К), еВ
Елемент | Група в періодичній таблиці | Ширина забороненої зони | |
еВ | Дж | ||
Бор | III | 1,10 | 1,76 |
Кремній | IV | 1,12 | 1,79 |
Германій | IV | 0,72 | 1,15 |
Фосфор | V | 1,50 | 2,40 |
Миш'як | V | 1,20 | 1,92 |
Сірка | VI | 2,50 | 4,00 |
Селен | VI | 1,70 | 2,72 |
Телур | VI | 0,36 | 0,58 |
Йод | VII | 1,25 | 2,00 |
До складних напівпровідників належать сполуки елементів різних груп періодичної системи, відображені формулам] AІVBIV(SiC),AІІІBV(InSh, GaAs, GaP),AIIBVI(CdS,ZnS) і деякі окиси (на приклад Сu20).
Германій (Ge). Сировиною для видобутку германію служать цинкові та сульфідні руди. Спочатку отримують тетрахлорид, германію (GeCl4), з якого дістають діоксид германію (Ge02) - порошок білого кольору. Цей порошок відновлюють у водневій печі за температур 650 - 700 °С до елементарного германію. Порошок германію протравлюють і сплавляють у виливки, які служать вихідним матеріалом для отримання дуже чистого матеріалу методом зонного розплавлення або безпосереднього витягування монокристалів з розтопу.
|
|
За зонного розплавлення (рис. 4.11) виливок германію кладуть у графітову ємність і встановлюють у кварцову трубу, через як постійно проходить інертний газ. З допомогою високочастотною контура зливок локально розплавляють. Домішки краще розчиняються у рідкій фазі германію, ніж у твердій, і виносяться роз плавленою зоною, яка переміщується вздовж виливка одночасно з переміщенням високочастотних витків. У результаті багаторазового очищення домішки концентруються біля одного кінця виливка. Забруднений кінець виливка відрізають.
Схема пристрою для зонної плавки: 1 - кварцова
труба; 2 - витки контура високочастотного генератора; 3 -
злиток очищуваного германію; 4 - графітовий човник; 5 - зони
плавлення, позначені в площині витків; 6 - рухома каретка, на якій закріплені витки
Для отримання монокристалів германій розплавляють у вакуумній печі (тиск ~10-3 Па). На кінець штока закріплюють затравку 10 (рис. 4.12), яку орієнтують у необхідному кристалографічному напрямі. За поступового опускання штоку в розплав затравка розплавляється з поверхні. Після цього шток із затравкою повільно обертаються навколо своєї осі і піднімаються разом зі стовпчиком розтопу, що підтримується поверхневим натягом. У зоні більш низьких температур над розплавленою поверхнею стовп розплаву твердне, утворюючи одне ціле із затравкою.
|
|
Схема установки для витягування монокристалів з j розплаву: 1 - робоча камера; 2-вікно спостереження; 3 - нагрівам електроопору або високочастотний індуктор; 4 - теплові екрани; 5 - шток для обертання тигля; б - графітовий тигель; 7 - кварцовий вкладиш; 8 - розплав; 9 - виростаючий монокристал; 10 - затравка; 11 - шток для кріплення затравки
Швидкість витягування змінюється в межах 10-5 - 10-4 м/с. Витягуванням отримують монокристали германію діаметром у десятки міліметрів. З метою отримання германію з певною величиною і типом електропровідності в процесі витягування в монокристал вводять строго дозовані домішки. Для виготовлення напівпровідникових приладів зливки германію розрізають на пластинки і протравлюють для видалення поверхневих дефектів.
З германію виготовляють випростуванні змінного струму, транзистори, перетворювачі Холла, фото транзистори та ін. Германієві прилади можуть експлуатуватись в діапазоні температур -60 - +70 °С і повинні захищатись від дії волого повітря.
Кремній (Si). Одним з найважливіших матеріалів для його добування служить кремнезем (Si02). Отримують кремній також відновленням парами цинку SiCl4. Кремній - це темно-сірий металоподібний крихкий матеріал. Питомий опір ідеально чистого кремнію за кімнатної температури близько 106 Ом·см. Діелектрична проникливість є = 12. Залежно від природи елемента-домішки розрізняють електронну (за наявності домішок V групи) і Зіркову (домішки III групи) провідності. За підвищених температур (600 °С) реагує з галогенами, утворюючи сполуки типу SiX4, a також з киснем, азотом і сіркою. У розчинах кислот (за винятком сумішей азотної і плавикової) не розчиняється.
Верхня границя робочої температури напівпровідникових приладів на основі кремнію досягає 80 - 200 °С, тоді як на основі германію - всього 70 - 80 °С. Тому кремнієві напівпровідники застосовують ширше, ніж германієві. Кремній використовують також в інтегральних напівпровідникових схемах у радіоелектроніці.
Селен (Se) - елемент шостої групи періодичної системи. Його отримують із залишків електролітичного рафінування міді. Селен у твердому стані існує у різних модифікаціях: склоподібний (аморфний), моноклінний і гексагональний. Чорний аморфний селен отримують швидким охолодженням розплаву до кімнатної температури. Його питомий опір 1011 Ом·м. Сірий гексагональний селен має питомий опір 102 - 103Ом·м. Ширина забороненої зони власної провідності становить біля 2 еВ. Його дістають з розплавленого аморфного селену повільним охолодженням від температури плавлення (220 °С) до кімнатної. Сірий кристалічний селен є домішковим напівпровідником р -типу.
Характеристики напівпровідникових матеріалів погіршуються під дією вологи, фонових випромінювань та ін. Для захисту напівпровідникові прилади вміщують у герметичні металічні, керамічні чи пластмасові корпуси.
Карбід кремнію (SiC) - крихкий полікристалічний матеріал, що утворюється хімічним з'єднанням кремнію та вуглецю за кінцевої температури ~2000 °С. Легований фосфором, сурмою чи вісмутом карбід кремнію має темно-зелене забарвлення і електропровідність п -типу, а легований галієм, алюмінієм або бором дістає темно-фіолетове забарвлення і провідність р -типу. Карбід кремнію є домішковим напівпровідником і лише за температури 1400 °С і вище у ньому виникає власна електропровідність. З монокристалів карбіду кремнію високої чистоти виготовляють діоди і транзистори на робочі температури до 700 °С, а також світло діоди.
Електропровідність напівпровідників змінюється під впливом температури, світла, електричного поля, механічних напружень. На цих змінах ґрунтується принцип дії відповідно *терморезисторів (термісторів), *фото резисторів, * нелінійних резисторів (варисторів), * тензорезисторів та ін.
|
|
Напівпровідникові системи можна використовувати для перетворення різних видів енергії в енергію електричного струму (сонячні батареї, термоелектричні генератори), а також як нагрівальні елементи (селітові стрижні).
Виготовлені з напівпровідникових матеріалів прилади вигідно вирізняються: великим терміном експлуатації; малими габаритами і масою; простотою і надійністю конструкції; споживанням малої потужності і малою інерційністю.
Використання напівпровідникових матеріалів забезпечує бурхливий розвиток мікроелектроніки, зменшення маси і розмірів електронної апаратури, збільшення густини монтажу при одночасному підвищенні довговічності і надійності.
Література:
1 Конструкционные и электротехнические материалы: Учеб. для учащихся электротехн. спец. /В.Н. Бородулин, А.С. Воробьев, С.Я. Попов и др.; Под ред. В.А. Филикова. – М.: Высш. шк., 1990 2 Кузьмин Б.А., Самохацкий А.И. Металлургия, металловедения и конструкционные материалы. – М.: Высш. шк., 1984 3 Корицкий В.И. Электротехнические материалы. – Энергия. 1978 4 Электротехнические материалы. Справочник. Под ред. В.А. Березина. –М.: Энергоатомиздат, 1983 |