История. Структура презентации

Приложение А

Структура презентации

Таблица оценивания проектной работы

Элемент оценивания	Максимальный балл
Текст
Содержание, язык изложения
Читаемость текстов: использование шрифтовых и абзацных эффектов; расположение текста
Иллюстрации
Графические векторные объекты: WordArt или Фигуры; рисунки из коллекции
Авторские рисунки, обработанные фотографии
Диаграммы; диаграммы SmartArt
Фотографии
Звук
Навигация
Управляющие кнопки
Гиперссылки
Переход между слайдами
Оформление
Использование анимации: появление текста, рисунков, гиф-анимация, эффект исчезновения
Удобство навигации по слайдам
Дизайн: авторский/шаблон
Оптимальность размещения объектов; использование звука и анимации; удачное цветовое решение

Итоговая оценка выставляется согласно таблице.

Общее количество баллов	Оценка
Менее 10
10–13
14–16
17–20

Структура пояснительной записки

Пояснительная записка должна раскрывать творческий замысел работы и содержать описание работы, выбор и обоснование принципиальных решений, расчёты.

· Титульный лист (см. Приложение А) является первой страницей отчёта и содержит следующие сведения:

° наименование организации;

° наименование работы;

° тему;

° данные об исполнителе;

° данные о руководителе;

° место и дату составления отчёта.

· Оглавление.

· Введение требует краткого отражения следующих пунктов:

° постановки задачи;

° указания цели работы;

° определения основной темы работы;

° этапов составления презентации.

· Содержательная часть должна иметь следующие подразделы:

° этапы разработки презентации;

° описание основных методов и приёмов построения презентации;

° описание презентации.

· Заключение содержит краткие выводы по результатам выполненной работы, оценку полноты решения поставленных задач и рекомендации по использованию презентации.

· Титульный лист.

· Оглавление.

· Введение.

· Основная часть.

· Заключение.

Каждая из этих составляющих может располагаться на одном или более слайдах.

Негосударственное образовательное учреждение

«Открытый молодёжный университет»

Комплексная образовательная программа
«Школьный университет»

ПРОЕКТ

«Полярное сияние — это…»

Тема проекта: «Создание, обработка и демонстрация мультимедийных презентаций
на компьютере. Редактор презентаций»

Выполнил: учащаяся 8 класса

школы № 12

Инна Анатольевна Воронкова

Руководитель проекта:

преподаватель информатики

Ольга Васильевна Колос

Томск — 2013

Изобретение микросхем началось с изучения свойств тонких оксидных плёнок, проявляющихся в эффекте плохой электропроводимости при небольших электрических напряжениях. Проблема заключалась в том, что в месте соприкосновения двух металлов не происходило электрического контакта или он имел полярные свойства. Глубокие изучения этого феномена привели к изобретению диодов, а позже транзисторов и интегральных микросхем.

В 1958 году двое учёных, живущих в совершенно разных местах, изобрели практически идентичную модель интегральной схемы. Один из них, Джек Килби, работал на Texas Instruments, другой, Роберт Нойс, был одним из основателей небольшой компании по производству полупроводников Fairchild Semiconductor. Обоих объединил вопрос: «Как в минимум места вместить максимум компонентов?». Транзисторы, резисторы, конденсаторы и другие детали в то время размещались на платах отдельно, и учёные решили попробовать их объединить на одном монолитном кристалле из полупроводникового материала. Только Килби воспользовался германием, а Нойс предпочёл кремний. В 1959 году они отдельно друг от друга получили патенты на свои изобретения — началось противостояние двух компаний, которое закончилось мирным договором и созданием совместной лицензии на производство чипов. После того как в 1961 году Fairchild Semiconductor Corporation пустила интегральные схемы в свободную продажу, их сразу стали использовать в производстве калькуляторов и компьютеров вместо отдельных транзисторов, что позволило значительно уменьшить размер и увеличить производительность.

Первая советская полупроводниковая микросхема была создана в 1961 году в Таганрогском радиотехническом институте, в лаборатории Л. Н. Колесова.

Первая в СССР полупроводниковая интегральная микросхема была разработана (создана) на основе планарной технологии, разработанной в начале 1960 года в НИИ-35 (затем переименован в НИИ "Пульсар") коллективом, который в дальнейшем был переведён в НИИМЭ (Микрон). Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы было сконцентрировано на разработке и производстве с военной приёмкой серии интегральных кремниевых схем ТС-100 (37 элементов — эквивалент схемотехнической сложности триггера, аналога американских ИС серии SN-51 фирмы Texas Instruments). Образцы-прототипы и производственные образцы кремниевых интегральных схем для воспроизводства были получены из США. Работы проводились НИИ-35 (директор Трутко) и Фрязинским заводом (директор Колмогоров) по оборонному заказу для использования в автономном высотомере системы наведения баллистической ракеты. Разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС-100 и с организацией опытного производства заняла в НИИ-35 три года (с 1962 по 1965 год). Ещё два года ушло на освоение заводского производства с военной приёмкой во Фрязино (1967 год).