Рис. 3.6
Рис. 3.5
Рис. 3.4
Рис. 3.2
Рис. 3.1
При ТКС > ТКЧ коррекцию чувствительности можно получить подбором сопротивления источника питания. Для проволочных и фольговых тензорезисторов относительные изменения сопротивления eR не превышают 2%, поэтому нелинейности, вносимые мостовой цепью, относительно малы.
Для полупроводниковых тензорезнсторов eR достигает 10% и при рассмотрении погрешности линейности выходного сигнала моста следует учитывать как нелинейность коэффициента тензочувствителыюcти, так и нелинейность, вносимую мостовой схемой.
Вследствие малого изменения сопротивления рабочих плеч особого рассмотрения требуют вопросы уравновешивания мостовой цепи. Для уравновешивания последней до значения начального сигнала, соответствующего кажущейся деформации el = 10-5 (при этом погрешность нуля будет 0,1% при (el)изм = 1%), требуется изменять сопротивление одного из нерабочих плеч с порогом 4-10-5 полного сопротивления плеча. Стабильность сопротивлений нерабочих плеч должна обеспечиваться в пределах ± 10-6.
|
|
Схема измерительного моста с дифференциально включенными проволочными тензорезисторами и уравновешивающими элементами при питании постоянным током показана на рис. 3.2, а. При питании схемы переменным током необходимо учитывать наличие относительно больших емкостей (10—100 пФ) между проводящими элементами тензорезисторов и деталью, па которую они наклеиваются. Поскольку одна из точек измерительной схемы, как правило, заземляется и соединена, таким образом, с металлической деталью, эти емкости оказываются включенными в схему, например, так, как показано на рис. 3.2., б, и измерительный мост может быть уравновешен теперь только при введении дополнительных элементов.
В настоящее время в связи с широким внедрением микроэлектроники наиболее универсальными являются цепи на постоянном токе.
В качестве источника питания в этих схемах используются стабилизаторы напряжения или тока. Выходное напряжение моста усиливается с помощью дифференциального усилителя с высоким входным сопротивлением. Элементы регулирования начального выходного сигнала, показанные на рис. 5-16, весьма громоздки, нерациональны при использовании полного моста, т. е. при включении четырех рабочих тензорезисторов, и приводят, кроме того, к изменению чувствительности схемы вследствие изменения сопротивлений плеч моста при его балансировке.
Вариант измерительной цепи со специальным устройством балансировки представлен на рис. 3.3.
Рис. 3.3.
Балансировочное устройство выполнено в виде делителя напряжения (резисторRб) с дифференциальным усилителем ДУ1 на выходе и подключено к источнику питания моста (стабилизатор напряжения); выходное напряжение усилителя ДУ1 суммируется с выходным напряжением моста, усиленным с помощью предварительного усилителя ДУ2, на входе усилителя ДУЗ.
|
|
В настоящее время получают также распространение цепи, в которых выходной ток тензомоста уравновешивается током дополнительного источника, т. е. выполняется условие UBblXM = 0; при этом выходной величиной является уравновешивающий ток. Такие цепи, называемые квазиуравновешенными мостами, подробно проанализированы А. В. Клементьевым.
На рис. 3.4 представлена схема измерительной цепи, построенная на принципе квазиуравновешенного моста.
Питание тензомоста R1 R2 R3 R4 осуществляется от стабилизатора тока ИТ. Операционный усилитель Ус1, охваченный цепью параллельной отрицательной обратной связи, уравновешивает мост за счет подачи тока IВЫХ в узел а выходной диагонали моста. Дополнительный усилитель Ус2 реализует «плавающее» питание моста таким образом, что потенциал узла bоказывается близким к нулю. В этом случае выходное напряжение преобразователя будет равным Uвых = IвыхR5, где Iвых = 2/ K1 el (1 + К1 el)-Цепь из резисторов R6 R7 предназначена для установки начального уровня. В данной схеме удается в значительной степени снизить влияние сопротивления проводов линий связи с датчиком. Практически сказывается влияние лишь сопротивления rл провода, по которому протекает ток /11ЫЯ, но это влияние относительно невелико, поскольку величина rл обычно много меньше сопротивления R5, задающего коэффициент передачи устройства.
Область применения тензорезисторов. При всем многообразии задач, решаемых с помощью тензорезисторов, можно выделить две основные области их использования.
К первой области относятся исследования физических свойств материалов, деформации и напряжении в деталях и конструкциях. Для этих задач характерны число точек тензометрирования, широкие диапазоны изменения параметров окружающей среды, а также невозможность градуировки измерительных каналов. Основной причиной погрешности в этих случаях является разброс параметров тензорезисторов R и К, вокруг средних для данной партии значений, и погрешность измерения составляет 2—10%.
Вторая область — применение тензорезисторов для измерения механических величин, преобразуемых в деформацию упругого элемента. В этом случае датчики градуируются по измеряемой величине и погрешности измерений лежат в диапазоне 0,5—0,05%.
Тензорезисторы используются для измерения статических и динамических деформаций, верхняя граница частотного диапазона определяется соотношением между длиной волны l и базой l тензорезистора. Для того чтобы не было искажения результата измерения из-за усреднения деформации (рис. 3.5), принимается отношение l/l £ 0,1. В частности, для измерения в стальных деталях динамических деформаций с частотой до 50 кГц должны применяться тензорезисторы с базой, не большей 10 мм, так как скорость распространения ультразвука в стали v = 5000 м/с и длина волны l = v / f = 100 мм.
При измерении динамических деформации ишшчИиа максимальной деформации для проволочных тензорезисторов не должна превышать el £ 0,1%, для полупроводниковых el £ 0,02%, так как при больших деформациях резко понижается надежность тензорезисторов.
Для повышения точности и чувствительности гензорезисторов, а также измерительных цепей к ним представляет интерес установление предельных возможностей тензорезисторов, определяемых термодинамическими флюктуациями. Тензорезистор является параметрическим преобразователем с внутренним сопротивлением R и может быть представлен в виде эквивалентного генератора с мощностью короткого замыкания
|
|
Рк.3 = (3.3.),
где Рт — мощность, потребляемая тензорезистором. Средняя мощность термодинамического шума равна РШ = 4kTDf, где k= 1,38- 10-23 Дж/К — постоянная Больцмана; T — абсолютная температура; Df — полоса частот. Отсюда средняя квадратическая погрешность находится в виде
(3.4.)
На рис. 3.6 представлены графики, отражающие зависимость погрешности d от величины деформации ег для РT = 0,1 Вт и различных частотных полос при температуре Т = 300 К.
4-1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ И ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
Пьезоэлектрическими называются кристаллы и текстуры, электризующиеся под действием механических напряжений (прямой пьезоэффект) и деформирующиеся в электрическом поле (обратный пьезоэффект). Пьезоэффект обладает знакочувствительностыо, т. е. происходит изменение знаков заряда при замене сжатия растяжением и изменение знака деформации при изменении направления поля. Пьезоэлектрическими свойствами обладают многие кристаллические вещества: кварц, турмалин, ниобат лития, сегнетова соль и др., а также искусственно создаваемые и специально поляризуемые в электрическом поле пьезокерамики: титанат бария, титанат свинца, цирконат свинца и т. д.
Рис. 4-1. Форма элементарной ячейки кристаллической структуры кварца.
Физическую природу пьезоэффекта рассмотрим на примере наиболее известного пьезоэлектрического кристалла — кварца. На рис. 4-1 показана форма элементарной ячейки кристаллической структуры кварца. Ячейка в целом электрически нейтральна, однако в ней можно выделить три направления, проходящие через центр и соединяющие два разнополярных иона. Эти полярные направления называются электрическими осями или осями x, и по ним направлены векторы поляризации Р1, Р2, и Р3. Если к кристаллу кварца и оси приложена сила Fx, равномерно распределенная по грани, перпендикулярной оси x, то в результате деформации элементарной ячейки ее электрическая нейтральность нарушается.
|
|
а б в
Рис. 4-2. Форма элементарной ячейки кристаллической структуры кварца в деформированном состоянии.
При этом, как показано на рис. 4-2,а, вдеформированном состоянии ячейки сумма проекций векторов Р2 и Р3 на ось x становится меньше (при сжатии) пли больше (при растяжении) вектора Р1. В результате появляется равнодействующая вектора поляризации, ей соответствуют поляризационные заряды на гранях, знаки которых для сжатия показаны на рис. 4-1. Нетрудно видеть, что деформация ячейки не влияет на электрическое состояние вдоль оси y. Здесь сумма проекций векторов равна нулю, ибо Р2у = Р3y.
Образование поляризационных зарядов на гранях, перпендикулярных оси x, при действии силы по оси x называется продольным пьезоэффектом.
При механических напряжениях, приложенных вдоль одной из осей y (их называют механическими осями), геометрическая сумма проекций векторов Р2 и Р3 на ось y равна нулю, и на гранях пьезоэлемента, перпендикулярных оси y, заряды не образуются. Однако сумма проекций векторов Р2 и Р3 на ось x оказывается не равной вектору Р1.
Так, при сжатии пьезоэлемента, как изображено на рис. 4-2,б, указанная сумма превышает Р1, в результате на нижней грани образуются положительные заряды, а на верхней — отрицательные. Рассмотренный эффект образования зарядов на гранях, перпендикулярных нагружаемым граням, называется поперечным. При равномерном нагружении со всех сторон (например, гидростатическое сжатие) кристалл кварца остается электрически нейтральным. При нагружении по оси z, перпендикулярной осям x и y и называемой оптической осью кристалла, кристалл кварца также остается электрически нейтральным. При механическом напряжении сдвига, деформирующем ячейку так, как показано на рис. 4-1,в, геометрическая сумма проекций векторов Р2 и Р3 на ось x равна вектору Pj, направленному по оси x, и на гранях, перпендикулярных оси x, заряд не возникает. Однако проекции векторов Р2 и Р3 на ось y не равны, и на гранях, перпендикулярных оси y, возникает заряд.
Рассмотрение физической природы пьезоэффекта показывает, что при напряженном состоянии материала заряды принципиально могут возникать между тремя парами граней. Таким образом, поляризационный заряд является вектором и описывается тремя компонентами. Напряженное состояние характеризуется тензором второго ранга с девятью компонентами.
Пьезоэлектрический модуль, определяющий зависимости заряда от напряженного состояния, является тензором третьего ранга и определяется 27 компонентами.
Однако, тензор механических напряжений содержит только шесть независимых компонент, которые обозначаются так:σ11= σ1, σ22=σ2, σ33=σ3, σ23=σ4, σ13=σ5 и σ12=σ6. Это позволяет перейти к упрощенной форме записи пьезомодуля, представив его в виде таблицы, содержащей 18 компонент:
По таблице пьезомодулей можно рассчитать плотность заряда на всех трех гранях при действии любого напряжения. При сжатии по оси x (рис. 4-3, а)на грани, перпендикулярной этой оси, возникает заряд, плотность которого δ1=d11σ1; при сжатии по оси y (рис. 4-3, б)- заряд δ1=d12σ2, при всестороннем сжатии (рис. 4-3,в) - δ1=d11σ1 + d12σ2 + d13σ3 , наконец, при сдвиге (рис. 4-3, г) - δ1=d14σ4.
а
б в г
Рис. 4-3. Образование заряда на гранях пьезоэлемента при действии механических напряжений.
При продольном пьезоэффекте заряд не зависит от размера пьезо-элементов. Так, при сжатии по оси x заряд qx = δ1S1 = S1duF1/S1 = d11F1. При поперечном пьезоэффекте заряд может быть увеличен соответствующим выбором относительных размеров пьезоэлемента, т. е. длин ребер х и у:
q1 = δ1S1=S1d12F2/S2 = d12F2(zy)/(zx) = d12F2y/x.
В общем виде плотность заряда определяется формулой:
δi = dijσj, где (i= 1, 2, 3; j= 1, 2, 3, 4, 5, 6).
Индекс пьезомодуля dij означает, что рассматривается заряд на грани i при действии напряжения вдоль оси j. При определении знаков заряда за положительное направление поля принимается направление поля вне пьезоэлемента, совпадающее с положительным направлением соответствующей оси. Обратный пьезоэффект также определяется по матрице пьезомодулей. При приложении электрического ноля напряженностью Е1 между гранями y — y, или х — х, происходит деформация элемента в направлении оси x, равная е1 = d11E1.
Удобно привести следующую схему, объединяющую пьезоэлектрические уравнения:
ε1 | ε2 | ε3 | ε4 | ε5 | ε6 | ||
σ1 | σ2 | σ3 | σ4 | σ5 | σ6 | ||
E1 | δ1 | d11 | d12 | d13 | d14 | d15 | d16 |
E2 | δ2 | d21 | d22 | d23 | d24 | d25 | d26 |
E3 | δ3 | d31 | d32 | d33 | d34 | d35 | d36 |
Симметрия структуры веществ приводит к сокращению числа независимых компонент в матрицах пьезомодулем, большая часть компонент оказывается равной нулю. Значения пьезомодулей dij в единицах 10-12 Кл/Н для кварца и титаната бария приведены в табл. 4-1.
Материал | Значение пьезомодулей dij, 10-12 Кл/Н | |||||
Кварц | -2,31 | +2,31 | -0,67 | 0,67 | 4,62 | |
Титанат бария | -78 | -78 |
Таблица 4-1
Наличие полярных направлений в пьезоэлектрикахобъясняет важность определенной ориентац
φ
θ
а б в
Рис. 4-4. Возможные варианты срезов для пьезоэлементов.
ии граней пьезоэлемента относительно кристаллографических осей кристалла x, y и z.
Форма матрицы и значения пьезомодулей, приведенные в табл. 4-1, относительно осей координат, совпадающих с кристаллографическими осями кристалла. Это значит, что ребра пьезоэлемента должны быть ориентированы по осям x, y и z. Возможные варианты таких срезов для пьезоэлементов в виде пластин показаны на рис. 4-4, а. Эти срезы называются соответственно осям x, y и z -срезами. Для них механические напряжения, действующие на грани, совпадают по направлениям с кристаллографическими осями. Если пластина вырезана произвольно и напряжения действуют в системе координат ox', oy' и oz' (рис. 4-4, б), то тензор пьезомодуля должен быть преобразован к другой системе координат. Для такого преобразования необходимо вернуться к тензорной системе записи.
а б
в
Рис. 4-5. Область применения пьезоэлектрических преобразователей.
Область применения пьезоэлектрических преобразователей весьма обширна.
1.Преобразователи, в которых используется прямой пьезоэффект (рис. 4-5, а), применяются в приборах для измерения силы, давления, ускорения.
2.Преобразователи, где используется обратный пьезоэффект, применяются в качестве излучателей ультразвуковых колебаний, преобразователей напряжения в деформацию, например, в пьезоэлектрических реле, исполнительных элементах автоматических систем, перемещающих зеркала оптических приборов (рис. 4-5, б), обратных преобразователей приборов уравновешивания и т. д.
3.Преобразователи, в которых используются одновременно прямой и обратный пьезоэффекты — пьезорезонаторы, имеющие максимальный коэффициент преобразования одного вида энергии в другой на резонансной частоте и резко уменьшающийся коэффициент преобразования при отступлении от резонансной частоты, применяются в качестве фильтров, пропускающих очень узкую полосу частот (рис. 4-5, в).
Пьезорезонаторы, включенные в цепь положительной обратной связи усилителя, работают в режиме автоколебаний и используются в генераторах. В зависимости от типа кристалла, среза и типа возбуждаемых колебаний пьезорезонаторы могут выполняться с высокостабильной, не зависящей от внешних факторов собственной частотой и с управляемой собственной частотой. Управляемые резонаторы используются в частотно-цифровых приборах как преобразователи различных, преимущественно неэлектрических (температура, давление) величин в частоту.
В пьезоэлектрических преобразователях используются кварц и различные типы пьезокерамик. Пьезокерамики имеют значительно более высокие по значениям, чем кварц, пьезомодули, но худшие упругие свойства. Модуль упругости пьезокерамнческих материалов Е=(0,65-1,3)x10-11 Па. Добротность, определяемая только механическими потерями, лежит в диапазоне Q=(100 – 300). Тангенс угла потерь (при напряженности Е < 25 кВ/м) для большинства пьезокерамических материалов составляет tg δ=0,02-0,05. Все материалы обладают пьезоэлектрическими свойствами лишь в определенном температурном диапазоне, граница которого определяется точкой Кюри. Для кварца точке Кюри соответствует температура θ к=530°С, для пьезокерамик эти температуры значительно ниже. Значения пьезомодулей, определяющие чувствительность наиболее распространенных типов преобразователей, приведены для различных пьезокерамических материалов в табл. 4-2, там же указаны значения диэлектрической проницаемости ε и температуры θ, соответствующи е точкам Кюри.
Материал | Θ К, оС | ε, ед. εо | Пьезомодуль, пКл/Н | ||
-d31 | d33 | d15 | |||
ТБ-1 ТБК-3 ТБКС ЦТС 19 ЦТС 21 ЦТС 22 ЦТС 23 ЦТС 24 ЦТС 300 ЦТБС-1 НБС-1 НБС-3 (К0,5 Na0,5) NbO3 | 45 – 78 | 100-190 | - - - - - - - - |
Таблица 4-2