Организация флэш-памяти

В соответствии с /1, 4, 16/, флэш-память – это особый вид энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой твердотельной памяти.

Впервые флэш-память была разработана компанией Toshiba в 1984 году. В 1988 году компания Intel разработала собственный вариант флэш-памяти. Полное историческое название флэш-памяти Flash Erase Electronically Electrically Programmable ROM – электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ. Считается, что название Flash было дано компанией Toshiba во время разработки первых микросхем флэш-памяти как характеристика скорости стирания информации в микросхеме («in a flash» - мгновенно).

Главной отличительной особенностью флэш является возможность перепрограммирования при подключении к стандартной системной шине микропроцессора. Число циклов репрограммирования флэш-памяти хотя и велико (от 10 000 до 1 000 000 раз), но ограничено. Это связано с тем, что перезапись идёт через стирание, которое приводит к износу микросхемы. Для увеличения долговечности флэш-памяти в её работе применяются специальные алгоритмы для «разравнивания» числа перезаписей по всем блокам микросхемы.

В отличие от жёстких дисков, CD- и DVD-ROM, во флэш-носителях нет движущихся частей, поэтому их и называют твердотельными. По оценкам производителей, информация на флэш может храниться от 20 до 100 лет. Благодаря компактным размерам, высокой степени надёжности и низкому энергопотребелению, флэш-память активно используется в современных вычислительных машинах в качестве съёмного носителя информации.

Одним из элементов структуры флэш-памяти является накопитель (матрица запоминающих элементов). По организации массива запоминающих элементов различают микросхемы флэш-памяти следующих типов /1, 4, 6/:

1) Bulk Erase – стирание допустимо только для всего массива запоминающих элементов.

2) Boot Block – массив запоминающих элементов разделён на несколько блоков разного размера, содержимое которых может осуществляться независимо. Среди блоков есть так называемый загрузочный блок, содержимое которого аппаратно защищено от случайного стирания. В нём хранится программное обеспечение для правильной эксплуатации и инициализации микросхемы.

3) Flash File – массив запоминающих элементов разделён на несколько равноправных блоков одинакового размера, содержимое которых может стираться независимо. Файловая флэш-память ориентирована на замену жёстких дисков, поэтому её блоки являются аналогами секторов магнитных дисков.

Базовым элементом матрица является флэш-ячейка, которая состоит из транзистора особой архитектуры – полевого двухзатворного транзистора /1, 4, 16/. Ячейки флэш-памяти можно соединить последовательно (в цепочку) или параллельно. В первом случае логическая организация памяти называется NAND (Not AND, НЕ-И), во втором – NOR (Not OR, НЕ-ИЛИ).

Процесс записи информации для ячеек NOR и NAND различный. В ячейках NOR запись осуществляется методом инжекции (когда электронам даётся дополнительная энергия для преодоления потенциального барьера пред изолированным затвором). В ячейках NAND запись производится путём туннелирования электронов (когда электроны переходят сквозь барьер). Стирание информации в ячейках обоих типов осуществляется механизмом туннельного перехода.

В чистом виде флэш-память NOR похожа на обычную оперативную память, а память NAND больше напоминает дисковый накопитель с блочным доступом. При существенно большей скорости чтения данных память NOR имеет значительно меньшую скорость стирания и несколько меньшую скорость записи по сравнению с памятью NAND. Однако память NOR позволяет исполнять записанный код, а программы из NAND перед исполнением всегда необходимо предварительно загружать в оперативную память. Ячейка NAND имеет значительно меньшие размеры в сравнении с ячейкой NOR. Хотя первоначально была более распространена память NOR в виде оперативной памяти для вы числительных машин и других программируемых устройств, то сегодня широкое применение получила память NAND в виде карт памяти и твердотельных носителей. Однако, для работы, требующей побайтового произвольного доступа (например, для хранения программного кода), память NOR предпочтительней. Следует отметить, что существуют гибридные решения, в одном корпусе объединяющие разные типы памяти.

Одна ячейка флэш-памяти содержит один транзистор, который в простейшем случае хранит один бит информации. Такие ячейки называются одноуровневыми (SLC – Single Level Cell). Создание многоуровневой ячейки или ячейки с многоуровневым кодированием (MLC – Multi Level Cell) позволило хранить на одном транзисторе два бита информации. В качестве опытных образцов существуют 4-битовые ячейки. Компания Intel в 1997 году /4/ представила флэш-память с 2-битовыми ячейками, которая получила название Strata Flash.

Ячейки MLC применяются в памяти NOR, но наиболее популярны в памяти NAND. Память SLC NAND, в сравнении с MLC NAND, имеет более высокие скорости передачи данных, меньшее энергопотребление и повышенную надёжность. Однако, MLC NAND имеет большую ёмкость и меньшую цену.

Для согласования выходного интерфейса флэш-памяти с внешней шиной используется контроллер, выполненный в виде отдельной микросхемы либо встроенный в микросхему флэш-памяти.