Выходные характеристики
Iк=f(Uкэ) при Iб=const.
Небольшие по величине изменения токов и напряжений по сравнению с полными их значениями DU и DI называются малыми сигналами, или переменными составляющими токов и напряжений. Значения переменных составляющих между собой линейными соотношениями через дифференциальные параметры: коэффициенты, сопротивления, проводимости и др. В этих уравнениях и соответствующих эквивалентрых схемах игнорируются постоянные составляющие токов и напряжений и нелинейный характер связей между ними.
Малосигнальная схема с ОБ
DIк =aдиф DIэ + DU/zк.диф;
rэ.диф – дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода: при DUкб=0. Это сопротивление зависит от положения рабочей точки (точка покоя Iэ.0):
.
при Uкб=const – дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера.
Ск - ёмкость коллекторного перехода, которая шунтирует генератор тока aдиф DIэ. Она проявляется при работе на высоких частотах сигнала.
Малосигнальная схема с ОЭ
DIk=bдифDIб+(DUкэ/Z*к.диф).
В этой схеме по аналогии с r*к.диф определяется и реактивное сопротивление
Xck*=Xck/(bдиф+1),
откуда C*k=(bдиф+1)Ck - емкость коллектора в схеме с ОЭ.
3.4. Н -параметры транзистора
Биполярный транзистор можно рассматривать как активный четырехполюсник, во входной цепи которого действует напряжение DU1 и ток DI1, а в выходной цепи - DU2 и DI2. Это переменные составляющие, или “малые сигналы”.
Для малых сигналов четырехполюсник является линейной системой, т.е. описывается системой линейных уравнений, в которой две переменные являются независимыми, а остальные две - их функциями. Существует несколько систем, но наиболее распространенной является система h-параметров, в которой независимыми являются входной ток DI1 и выходное напряжение DU2:
DU1=h11DI1+h12DU2;
DI2=h21DI1+h22DU2.
h11 = DU1/DI1 при DU2=0 - входное сопротивление при к.з. на выходе;
h12 = DU1/DU2 при DI1=0 - коэффициент внутренней обратной связи по напряжению при холостом ходе по входу;
h21 = DI2/DI1 при DU2=0 - коэффициент передачи тока при к.з. на выходе;
h22 = DI2/DU2 при DI1=0 - выходная проводимость при х.х. на входе.
Часто вместо DU и DI используют обозначения U и I, понимая под ними амплитудные или действующие значения переменных составляющих синусоидальной формы.
h-параметры транзистора зависят от схемы включения и помечаются индексами ‘Б’ или ‘Э’.
h11б h11э
h21б= – aдиф h21э=bдиф.
h22б»1/rк.диф h21э»1/r*к.диф