Такие контакты получают комбинацией слоев полупроводника и металла, но с противоположным, чем в выпрямляющих контактах, соотношением уровней Ферми. Рассмотрим на примере контакта 
(рис. 3.5). Итак,
, т.е.
. Из рисунка видно, что для электронов более выгодным является нахождение их в полупроводнике. При контакте диффузия электронов из металла приведет к образованию несущественного обедненного слоя в металле и обогащенного электронами приконтактного слоя в полупроводнике. Самой высокоомной частью системы будет не переход, а слой полупроводника. Внешнее напряжение не окажет влияния на переход, никаких вентильных свойств у контакта не будет.
Омические контакты образует алюминий с кремнием
типа, а также с кремнием
(рис. 3.6). Без омических контактов не обходится ни один полупроводниковый прибор. Например, определение диода в новом представлении может быть сформулировано так. Диод – полупроводниковый прибор, состоящий из двух слоев с разным типом проводимости и имеющий один
переход и два омических контакта. На рис. 3.7 схематически показан кремниевый диод с омическими контактами из алюминия.






