Обратная характеристика реального диода
Из ВАХ идеального диода при обратном включении при
следует, что
, т. е. не зависит от напряжения.
– обратный ток диода. У реальных диодов обратный ток состоит из трех токов: теплового, термогенерации и тока утечки.
Этот ток обусловлен генерацией неосновных носителей в слоях
и
, примыкающих к переходу. После генерации носители подхватываются электрическим полем и уносятся в другой слой: дырки из
-базы вытягиваются отрицательным полюсом источника
в эмиттер, а электроны эмиттера положительным полюсом базы притягиваются в базу. Так как в соответствии с законом действия масс в базе генерируется больше дырок, чем электронов в эмиттере, то экстракция носит односторонний характер. Чем больше удельное сопротивление базы, тем больше тепловой ток. Носители, возникающие вдали от перехода, рекомбинируют с основными и вклада в тепловой ток не дают. Толщина области возникновения носителей составляющих
равна диффузионной длине неосновных носителей.
Тепловой ток зависит от напряжения лишь в области малых
. С ростом напряжения
и
. Поэтому тепловой ток также называют обратным током насыщения.
Зависимость обратного тока от температуры аппроксимируется выражением
. Здесь
,
– ток
, например, при комнатной температуре
, а
– температура удвоения. Если
, то тепловой ток удваивается. Для германиевых диодов
= 10 °С, а для кремниевых – 5 °С. Сравнение обратных токов по величине дает:
.То есть, тепловой ток кремниевых диодов пренебрежимо мал по сравнению с германиевыми диодами.