Ионно-лучевая литография. Метод основан на взаимодействии характеристического рентгеновского излучения (l = 0,1¸10нм) с рентгенорезистом

Рентгенолитография

Метод основан на взаимодействии характеристического рентгеновского излучения (l = 0,1¸10нм) с рентгенорезистом, приводящим к изменению их свойств - увеличение или уменьшение стойкости к проявителям.

Проекционный метод (1:1): шаблон состоит из кремниевой подложки, тонкой мембраны из, пропускающей рентгеновское излучения и слоя материала (хром, золото) хорошо поглощающего рентгеновское излучение. Зазор между шаблоном и пластиной составляет порядка 3¸10 мкм, время экспонирования – 1 сек ¸ 20 мин.

Достоинства - высокая разрешающая способность, отсутствие влияния загрязнений, большой срок службы шаблона, относительная простота оборудования.

Основана на использовании ионов гелия для экспонирования поверхности пластин, покрытых резистом.

Существуют:

сканирующая ИЛЛ (разрешающая способность – 0,3¸0,03мкм);

проекционная ИЛЛ с (разрешающая способность – 0,5мкм);

Для формирования рисунка топологии ИС возможно воздействие на пленку электронного, ионного и лазерного пучка с высокой плотностью энергии, достаточной для термического испарения материала.Для этого необходимы плотность мощности больше >10⁶ Вт/см² и время @ 1мкс. Применение ограничено возможным возникновением дефектов из-за механического напряжения и ударных волн.

Для сравнения эффективности методов литографии используются обобщенные оценки. В качестве критерия выбран показатель качества, определяемый как:

Производительность

(1+0,15´плотность дефектов) ´ стоимость оборудования ´ (ширина линий)

Сравнение эффективности методов литографии приведено в таблице 1.

Таблица 1