Физическая структура основной памяти

Основная память

Основная память

ных ПК рост производительности, как правило, практически прекращается по­сле 1 Мбайт кэш-памяти L2. Создается кэш-память на основе микросхем стати­ческой памяти.

ПРИМЕЧАНИЕ ----------------------------------------------------------------------------------------------------

В современных ПК часто применяется и кэш-память между внешними запоминаю­щими устройствами на дисках и оперативной памятью, обычно относящаяся к 3-му уровню, реже, если есть кэш L3 на системной плате, к 4-му уровню. Кэш-память для ВЗУ создается либо в поле оперативной памяти, либо непосредственно в модуле самого ВЗУ.

При рассмотрении структуры основной памяти можно говорить как о физиче­ской структуре, то есть об основных ее конструктивных компонентах, так и о ло­гической структуре, то есть о ее различных областях, условно выделенных для организации более удобных режимов их использования и обслуживания.

Упрощенная структурная схема модуля основной памяти при матричной его ор­ганизации представлена на рис. 6.1.

При матричной организации адрес ячейки, поступающий в регистр адреса, на­пример по 20-разрядным кодовым шинам адреса, делится на две 10-разрядные части, поступающие соответственно в Рег. адр. X и Рег. адр. Y. Из этих регистров коды полуадресов поступают в дешифраторы дешифратор X и дешифратор Y, каждый из которых в соответствии с полученным адресом выбирает одну из 1024 шин. По выбранным шинам подаются сигналы записи-считывания в ячейку памяти, находящуюся на пересечении этих шин. Таким образом адресуется 10⁶ (точнее 1024²) ячеек.

Считываемая или записываемая информация поступает в регистр данных (Рег. данных), непосредственно связанный с кодовыми шинами данных. Управляю­щие сигналы, определяющие, какую операцию следует выполнить, поступают по кодовым шинам инструкций. Куб памяти содержит набор запоминающих эле­ментов — собственно ячеек памяти.

Основная память (ОП) содержит оперативное (RAM — Random Access Memory) и постоянное (ROM — Read Only Memory) запоминающие устройства.

Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) предназначено для хранения ин­формации (программ и данных), непосредственно участвующей в вычислитель­ном процессе в текущий интервал времени. ОЗУ — энергозависимая память: при отключении напряжения питания информация, хранящаяся в ней, теряется. Ос­нову ОЗУ составляют микросхемы динамической памяти DRAM. Это большие интегральные схемы, содержащие матрицы полупроводниковых запоминающих элементов — полупроводниковых конденсаторов. Наличие заряда в конденсато­ре обычно означает «1», отсутствие заряда — «0». Конструктивно элементы one-

Глава 6. Запоминающие устройства ПК

ративной памяти выполняются в виде отдельных модулей памяти — небольших плат с напаянными на них одной или, чаще, несколькими микросхемами. Эти модули вставляются в разъемы — слоты на системной плате. На материнской плате может быть несколько групп разъемов — банков — для установки модулей памяти; в один банк можно ставить лишь блоки одинаковой емкости, например, только по 16 Мбайт или только по 64 Мбайт; блоки разной емкости можно уста­навливать только в разных банках.

Рис. 6.1. Структурная схема модуля основной памяти

Модули памяти характеризуются конструктивом, емкостью, временем обраще­ния и надежностью работы. Важным параметром модуля памяти является его надежность и устойчивость к возможным сбоям. Надежность работы современ­ных модулей памяти весьма высокая — среднее время наработки на отказ состав­ляет сотни тысяч часов, но тем не менее предпринимаются и дополнительные