Параметры диода

К основным параметрам диода относятся следующие:

1) Сопротивление диода, определяемое как отношение напряжения к току . Из ВАХ диода видно, что сопротивление на прямой ветви уменьшается, а на омическом участке становится постоянным. На обратной ветви сопротивление диода намного больше, чем на прямой ветви.

2) Сопротивление базы – сопротивление диода при большом прямом напряжении.

3) Барьерная емкость – емкость закрытого p-n - перехода.

4) Диффузионная емкость. Когда диод открыт, то основные носители переходят через p-n-переход и становятся не основными. Если диод закрыть, то через него в обратном направлении будут течь не основные носители. Этот разряд эквивалентен разряду емкости, которую называют диффузионной.

5) Дифференциальное сопротивление – отношение приращения напряжения к приращению тока: .

В настоящее время полупроводниковые диоды различают по назначению, по используемым материалам, конструктивному исполнению, типам p-n-переходов и др. признакам.

По используемым материалам: кремниевые, германиевые с примесями трех- и пятивалентных элементов.

По конструктивному исполнению: плоскостные, точечные.

По назначению: выпрямительные, высокочастотные и импульсные диоды (диоды Шотки: металл-полупроводник с малым временем переключения), стабилитроны, туннельные диоды, варикапы, диодные выпрямительные мосты, светодиоды, фотодиоды.