Определение зависимости D(N)

Такая зависимость строится на основе обработки пространственного распределения примеси, полученного в результате диффузии из неограниченного источника, обеспечивающего постоянную концентрацию примеси в приповерхностном слое полупроводника (рис. 3.10).

Рис. 3.10. Распределение примеси при диффузии

Краевые и начальные условия для этого случая в исследуемой точке х₀ записываются в следующем виде:

- измерена, где .

, t известно.

Проинтегрируем (3.16)

(3.16)

по dz в пределах z_o<z<∞ или от 0 до No, в результате получим:

(3.44)

После возвращения к исходным переменным можно получить (при этом t фиксировано):

(3.45)

Находим D в каждой точке, получаем D(N), приводимые в литературе. Глубина pn -перехода определяется методом окрашивания, сферического шлифа.