Пробеги и дисперсии пробегов ионов

Глубина проникновения нона в полупроводник характеризуется пробегом. Траектории отдельных ионов в кристалле подобны ломаным линиям, каждый прямолинейный участок и полная длина которых отличаются друг от друга (рис. 8.2).

Рис. 8.2. Распределение внедренных ионов по глубине мишени: А – «дерево» радиационных дефектов, создаваемых в результате ионной имплантации; б – схематическое изображение полной длины пробега иона R и проекции длины пробега Rp проецированного расстояния D Rp и бокового рассеяния D R ^

Вся совокупность пробегов отдельных ионов группируется по нормальному закону распределения с величиной среднего полного пробега R, проекция траектории среднего полного пробега на направление первоначальной скорости нона R_p, дисперсией пробега D R_p. Именно R_p и D R_p определяют глубину залегания легированного слоя и положение рп -перехода.

Кроме того существует флуктуация окончательного положения ионов относительно направления первоначального движения, называемая боковым рассеянием D R _^.

В зависимости от направления (угла падения) ионов внедрение может проходить по двум механизмам, приводящим к различным глубине проникновения и распределению примеси: ориентированное и разориентированное внедрение ионов.