Травление двуокиси и нитрида кремния

Общее уравнение ПХТ SiO₂ по аналогии с (1.5) может быть записано в виде

. (1.6)

Существуют предположения, что кроме радикалов F^· в реакции участвуют и радикалы , образующиеся в газоразрядной плазме согласно (1.2). При взаимодействии с SiO₂ радикалы создают летучие соединения (CF₃)₂O и моноокись кремния, которая в разряде CF₄ превращается в силоксан, в то время как в разряде фтора происходит ее восстановление до атомарного кремния, образующего кремнийорганическое соединение.

Для селективного травления SiO₂ используются газы с относительно малым содержанием радикалов фтора в плазме (например, C₂F₈). При этом скорости травления SiO₂ в 10 - 15 раз превышают скорости травления кремния и составляют (3 - 7) нм/с.

При жидкостном травлении пленок нитрида кремния для создания микрорельефа возникают большие трудности, связанные с повышенной химической стойкостью этого материала: необходимость строгого контроля за постоянством температуры травителей (обычно на основе H₃PO₄) и жесткие требования к защитной маске, поскольку температуры составляют 180 °С и обычные фоторезисты ее не выдерживают.

Технология ПХТ нитрида кремния позволяет проводить фотолитографию с большей точностью и сокращает время процесса. При этом отсутствуют отслаивание и вспучивание фоторезиста. Кроме того, пленки Si₃N₄, как правило, наносят на подслой SiO₂, имеющий в плазме в
2,5 - 4 раза более низкую скорость травления, что облегчает фиксацию момента окончания травления нитрида и делает процесс более воспроизводимым. Общее уравнение ПХТ Si₃N₄ записывается в виде

. (1.7)