Максимальное быстродействие и проблемы при миниатюризации межсоединений

Максимальная тактовая частота и быстродействие определяются минимальной временной задержкой функционирования (временем переключения) одного транзистора. Для увеличения частоты необходимо

уменьшение длины канала;

уменьшение порогового напряжения (приводит к увеличению подпороговых токов утечек);

уменьшение паразитных емкостей (емкость межсоединений трудно уменьшить).

Проблема межсоединений в настоящее время, а особенно в перспективе, является одной из самых острых. В современных схемах общая длина линий металлизации 5-7 км (до 10 км) на кристалл (≤ 1мм на один транзистор). Для обеспечения коммутации всех элементов необходимо 5-8 уровней металлизации (вплоть до 10).

Типичная площадь сечения межсоединений ~ 1 мкм² и меньше. Типичная плотность тока в проводе ~10⁵ А/см². Межсоединения вводят паразитные сопротивления и емкости. Их роль возрастает при миниатюризации активных областей. Поэтому временные задержки распространения сигнала в современных схемах определяются не столько активными транзисторами, сколько линиями межсоединений.

Характерное время перезарядки проводника длиной l можно оценить через геометрические размеры и удельное электрическое сопротивление материала провода:

(2.13.1)

где - Максвелловское время релаксации. Для увеличения скорости передачи сигнала по межсоединению необходимо уменьшать его удельное сопротивление. Именно по этой причине, а также по причине более высокой теплопроводности, на смену алюминию в качестве основного материала для межсоединений приходит медь.

Из формулы (2.13.1) видно, что миниатюризация линии межсоединения приводит только к уменьшению ее быстродействия. Длина линий не может быть уменьшена, а при уменьшении толщины проводника и изолятора в k раз время перезарядки линии увеличится в k² раз! Емкость линии на единицу длины составляет ~ 100…300 фФ/см (фемтофарада = 10^-15 Фарады) и увеличивается с уменьшением технологической нормы.

По этой причине, роль задержки в линиях разводки неуклонно растет:

до 90-х гг. доминировали задержки в самом транзисторе;

при технологической норме 60…90 нм времена задержки в приборах составляют ~ 1пс; на 1 мм линии ~ 6 пс;

в 2015 (22 нм) ожидаются значения 0,1 пс в приборе и ~ 30 пс на 1 мм линии межсоединения.

Очевидным способом уменьшения RC задержки является использование изоляторов с низким значением диэлектрической проницаемости (low-K insulators) изолирующих слоев, на которую положена линия, что позволяет увеличить эффективную скорость распространения сигнала по линии.