2015-01-30
512
На рис. 5, а показана структура МДП-конденсатора. Одной из обкладок является n+ -слой 1 толщиной 0,3...1 мкм, другой – слой металла (алюминия) 2, а диэлектриком – слой 3 диоксида кремния. Такой конденсатор применяют в полупроводниковых микросхемах при незначительном усложнении технологического процесса (требуются дополнительные операции литографии и окисления для создания слоя 3). Слой 1 формируется с помощью той же операции легирования, что и эмиттеры биполярных транзисторов или истоки и стоки n -канальных МДП-транзисторов. Топологическая конфигурация конденсатора – квадратная или прямоугольная. Для увеличения удельной емкости толщина d слоя 3 выбирается минимально возможной исходя из условия отсутствия пробоя: d ≥ U проб /E проб, где E проб – электрическая прочность слоя 3, т.е. напряженность электрического поля, при которой начинается пробой (около 600 В/мкм). Поэтому максимальная удельная емкость:
.
Например, при U проб = 50 В получаем С 0= 4·10–4 пФ/мкм2.
а) б)
Рис. 5
|
|
|
|
|
|
