Логика с транзистором Шотки (ТЛШ)

Исследовались различные способы улучшения параметров И²Л-логики. Один из них основан на применении ионной имплантации. Другой реализуется в логике ТЛШ, которой свойственны достаточно высокое быстродействие и малое потребление мощности. Диоды Шотки позволяют избегать перескоков напряжений логических уровней, а также препятствуют насыщению транзистора. Для изоляции ключа ТЛШ используются выпрямляющие диоды, которые образуются коллекторными n -областями. В результате схема содержит на один транзистор меньше, хотя для снижения токов утечки приходится использовать многоколлекторный транзистор.

ИНЖЕКЦИОННАЯ ЛОГИКА ШОТКИ (И²ЛШ)

Данная структура представляет разновидность семейства инжекционной логики. Ей присущи высокое быстродействие, характерное для ИС с транзистором Шотки, и одновременно экономичность, характерная для И²Л ИС. Удается достичь скорости коммутации, в 5 – 10 раз более высокой по сравнению со скоростью коммутации И²Л ИС. Были созданы устройства И²ЛШ, которые при шаге размещения элементов 3 мкм, толщине эпитаксиальной пленки 1,2 мкм и с использованием технологии изоляции локальным оксидированием могли обеспечить время задержки 0,7 нс, потребляя ток 200 мкА.