2015-01-30
633
Проводится диффузионная обработка участка кремния, на котором предполагается разместить ИС. Для этого на поверхность эпитаксиального слоя n-типа, имеющего концентрацию доноров Nd = 1016см–3, наносится акцепторная примесь с поверхностной плотностью 
. Образец помещают в диффузионную печь на 1 ч; коэффициент диффузии при температуре в этой печи 
.
а) Покажите, что функция x = f(N(x,t)), которая описывает профиль распределения концентрации в глубь кристалла, имеет вид
б) Найдите значение х пер – глубину, на которой возникает переход, т. е. где концентрация доноров становится равной концентрации диффундирующей примеси.
Указание: известно, что если 
, то 
Решение:
а) При диффузии атомов бора по гауссовскому закону
Значит, 
б) Здесь
Если x пер – глубина перехода, то
откуда 
