Задача 20

Имеется кремниевый транзистор типа р⁺-п-р с параметрами: W = 1 мкм; А = 3 мм²; ; ; Напряжение пробоя в схеме ОЭ Вычислите:

а) толщину нейтральной области W _бв базе;

б) концентрацию p_n (0) для неосновных носителей около перехода эмиттер – база;

в) заряд Q _бнеосновных носителей в области базы;

г) составляющие токов

д) и

е) эффективность эмиттера, коэффициенты передачи тока в схемах ОБ и ОЭ;

ж) объясните, как можно улучшить параметры и ;

з) напряжение в схеме ОЭ, считая, что a = 5.

Положите, что n_i = 1,45 .

Решение:

а) Переход эмиттер–база:

В;

мкм.

Переход база – коллектор:

В;

мкм;

мкм.

б)

в)

г) Область базы:

Область эмиттера:

Область коллектора:

Составляющие токов:

д)

е)

ж) Чтобы повысить коэффициент , концентрацию примесей в эмиттере следует сделать значительно более высокой, чем в базе. Значение параметра будет увеличено, если толщина базы будет малой по сравнению с толщиной эмиттера.

з)

Полагая, что получаем

В.

Приложение

Образец оформления титульного листа

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

_________________________________________________

Кафедра промышленной электроники

Контрольная работа №1

по Основам технологии электронной компонентной базы

Выполнил студент _______________________________ ________________

Ф.И.О подпись

Дата ________________

Группа ________________

Шифр студента ________________

Адрес студента __________________________________ ________________

____________________________________________________

Проверил преподаватель ____________________________________________

Ф.И.О подпись