Динамическая память

Элемент памяти, микросхема памяти, модуль памяти, графическая память

Динамическая память - DRAM (Dynamic RAM) - получила свое название от принципа действия элемента памяти, хранящего один бит информации. Запоминающим элементом служит конденсатор, являющийся емкостью перехода исток - сток полевого транзистора. При записи логической единицы в элемент памяти конденсатор заряжается, при записи нуля - разряжается. При чтении информации конденсатор тоже разряжается и, если заряд был не нулевым, усилитель считывания устанавливает на выходе единичное значение потенциала, и конденсатор специальной схемой перезаписи снова заряжается до потенциала логической единицы. При отсутствии обращения к элементу динамической памяти со временем, за счет токов утечки, конденсатор разряжается и информация теряется, поэтому такая память требует постоянного периодического перезаряда конденсаторов методом перезаписи каждого элемента (регенерации). Следовательно, память может работать только в динамическом режиме, с постоянным перезарядом конденсаторов ячеек памяти. Этим она принципиально отличается от статической памяти, реализуемой на триггерных ячейках и хранящей информацию без обращений к ней статично, сколь угодно долго при включенном питании. Благодаря относительной простоте ячейки динамической памяти, на одном кристалле удается размещать миллионы ячеек и получать сравнительно недорогую полупроводниковую память, пускай и недостаточно высокого быстродействия, но с умеренным энергопотреблением. Используется динамическая память в качестве оперативной памяти компьютера и оперативной памяти видеоадаптера.