Эквивалентная схема усилителя ОЭ в области СЧ

I₁ = i_вх; U₁ = U_вх; I₂ = -i_вых; U₂ = U_вых

K_i – коэффициент усиления по току;

К_u – коэффициент усиления по напряжению;

R_вх – входное сопротивление;

R_вых – выходное сопротивление.

R_б* = R_б (когда оно одно на входе)

R_б* = R_б1|| R_б2 (когда стоит базовый делитель)

R_б*>> h_11э поэтому первоначально R_б можно не учитывать

R_к – учтем в нагрузке, т. е.

R_н Þ R_кн = R_к||R_н

К_I = I₂/I₁ = i_вых /i_вх

К_I = h₂₁/(1+h₂₂*R_кн)

Как правило 1/ h₂₂>> R_кн Þ К_I @ h₂₁ = b усилитель ОЭ усиливает по току

R_вх = U₁/I₁ = U_вх/i_вх = h₁₁ + h₁₂К_I R_кн @ h₁₁

Учитывает влияние внутренней обратной связи транзистора.

h₁₂ ~10^-2¸10^-4 для ОЭ

10^-3¸10^-5 для ОБ

K_u = U₂/U₁ = U_вых/U_вх = (i_вых R_вых)/(i_вх R_вх)=K_I*(R_вых/R_вх)

R_вых = U_вых^хх/i_вых^кз

1/R_вых = h₂₂ – h₁₂*h₂₁/(R_г + h₁₁)

В общем случае входное и выходное сопротивления усилителя зависят как от самого усилителя для R_вх = h₁₁ для R_вых = 1/h₂₂, так и от нагрузки для R_вх = R_кн, для R_вых = R_г.

На практике выполняется условие:

h₁₂*h₂₁<<1 Þ 1/ R_вых @ h₂₂

тогда K_u @ b*(R_кн||1/h₂₂)h₁₁

Если R_б сравнимо с h₁₁, то оно учитывается как:

R_вх = h₁₁||R_б

Если R_к мало, то оно учитывается как:

R_вых = 1/h₂₂||R_к

K_I @ b; K_u = b*(R_к/h_11э)

R_вх @ h_11э; R_вых @ R_к