Учет влияния выходных емкостей транзистора и нагрузки. Эквивалентная схема ОЭ на ВЧ

R_вх = h₁₁||R_б

R’_н = R_н||R_k||1/h₂₂

C₀ = С_кэ + С_м + С_н

С_кэ – выходная емкость транзистора коллектор-эмиттер;

С_м – емкость монтажа;

С_н – емкость нагрузки (эквивалентная).

С_вх = 0; С_{проходная} = 0.

На ВЧ к = к(w) и при возрастании w к(w) – уменьшается, потому что емкость С₀ подключена || нагрузке и при возрастании частоты X_со = 1/w С₀ уменьшается, следовательно полное сопротивление нагрузки уменьшается.

На ВЧ влияние емкостей носит интегрирующий характер.

U’_вых = h₂₁i_б’(R’_н||X’_co) = h₂₁i_б/(1+j wС₀ R’_н)

t_н = С₀*R’_н

к’_u(w) = к_u0/(1+jwt_н)

к(w) =

М_в(С₀) – коэффициент частотных искажений на ВЧ

М_в(С₀) = к₀/ к(w) =

С₀<<

С_м << С_и1С_кэ

С₀ – учтено влияние только выходной емкости транзистора, но у транзистора кроме того

b = b(w), тогда

М_в^дбS = М_в^дб(С₀) + М_в^дб(b)

b(f) @

f_b = f_a./(b+1)

Схема ОЭ менее быстродейственный, чем ОБ при тех же условиях.

М_в(b) =

Учет влияния С_вх, С_прох

С_бэ – входная емкость транзистора;

С_кб – емкость между базой и коллектором, проходная;

С_кэ = С_вых – выходная емкость

R’_н = R_к||1/h₂₂||R_н

r_эh₂₁ – входное сопротивление транзистора, пересчитанное из Т-образной схемы

r_эh₂₁ @ h₁₁

R_б >> h₂₁r_э (отбросили)

С₀ = С_кэ + С_м + С_н + С_кб’

С_кб’ – емкость С_кб, пересчитанная в выходную цепь

С_вх0 = С_бэ + С_кб(1+к_u)

= C_кб – емкость С_кб, пересчитанная во входную цепь

Эффект Миллера

К_u = h₂₁R’_н/R_вх

Проходная емкость в усилителях напряжения с большим усилением эквивалентно увеличивается в коэффициент усиления раз, т. е. высоких частотах влияние этой емкости сильнее, чем всех остальных.

С_бэ ~ 50пФ

С_кб ~ 1¸ 5 пФ

К_u = 100

С_вх0 @ 500 пФ

Это обусловлено тем, что эта емкость находится в цепи ООС.

Эффект Миллера практически справедлив для всех усилителей.

На ВЧ и СВЧ проходная емкость ограничивается как максимально возможное усиление каскада (максимальную рабочую частоту), так и устойчивость усилителя.

На ВЧ в резонансных усилителях, когда ОС частотно зависима, при большом усилении, наличие С_кб приводит к тому, что ОС может стать ПОС, в результате усиление становится неустойчивым Þ необходимо принимать меры к нейтрализации влияние С_кб.

У ПТ и ламп проходная емкость значительно меньше, чем у БТ, поэтому практически не сказывается на работе усилительного каскада.

t_вх = С_вх(R_г||h₂₁r_э)

{h₂₁ = h₁₁}

С_бэ =

F_т = h₂₁ = 1

r_э = j_т/I_эо

Влияние С_кб снижается при работе от источника напряжения (R_г®0).