Основные параметры тензорезисторов

Номинальное сопротивление – сопротивление в отсутствии деформации при 20 ºС (от 50 до 5000 Ом).

Деформационная характеристика – зависимость относительного изменения сопротивления тензорезистора от относительной деформации ΔR/R = f (Δl/l). Для металлических тензорезисторов она линейна в области упругой деформации. Для тензорезисторов из p-Si линейность сохраняется в диапазоне от (–2·10^-3) до +6·10^-3 единиц относительной деформации; для тензорезисторов из n-Si линейна только при сжатии от 4·10^-3 до 0 (рис. 2.5).

Рис. 2.5. Деформационная характеристика для кремния

p-типа (а) и n-типа (б) проводимости

Коэффициент тензочувствительности К_Т = .

Предельная деформация – максимальная деформация, превышение которой может вывести тензорезистор из строя.

Деформации, измеряемые тензорезисторами с точностью до 0,1 %, лежат в диапазоне от до · . Нижний предел измерений определяется шумами датчика и связанной с ним электрической схемы, верхний – зависит от упругости датчика и фиксирующего клея. Полупроводниковые датчики предназначены для очень малых деформаций – 10^-5 – 10^-3, по сравнению с металлическими они обычно менее линейны и более чувствительны к температуре. Рабочий диапазон полупроводниковых датчиков от –200 до +200 ºС.

Металлические датчики используются в широких температурных диапазонах от –200 до +700 ºС для точного измерения деформаций значительных величин 0,01 – 2 %.