Измерить температурную зависимость электропроводности образца и определить ширину запрещенной зоны и энергию ионизации примесей.
При выполнении работы придерживаться следующего порядка:
1) вращая ручку регулятора температуры установить последовательно температуру 20°, 24,4°, 28,8°, …, 72,8°, т.е. начиная с 20°С замерять через каждое деление шкалы термометра. Проделать измерения три раза при тех же t. Результаты усреднить.
2) Удельное сопротивление образца определить по формуле:
, (2.15)
где Δ U – падение напряжения на зондовых электродах 2,3;
I – ток, протекающий через образец;
– поправочный коэффициент (см. рис. 2.8);
S – расстояние между зондами.
Результаты измерений и расчетов занести в таблицу.
Таблица 2.1
№ | Δ Uср | t, ºC | T, K | ρ | σ | ln σ | 1/ T |
3) построить график температурной зависимости электропроводности в координатах T -1 и определить Eg и Δ E.
4) По данным, определенным в задании, построить зонную диаграмму.
|
|
5) По рис. 2.9 для двух образцов рассчитать ширину запрещенной зоны.
6) Оценить погрешности полученных результатов.
Контрольные вопросы
1. Объяснить механизм электропроводности полупроводников на основе зонной теории твердого тела.
2. Нарисовать и объяснить энергетические диаграммы атома и твердого тела.
3. Объяснить график зависимости электропроводности собственного и примесного полупроводника от температуры.
4. Как различаются примеси по влиянию на свойства полупроводника?
5. Почему в работе используется зондовый метод измерения? Какие методы еще вам знакомы?
Литература [3] 7.1, 8.3, 8,4; [5] 5.37-5.39.
Рис. 2.9. Графики зависимости удельного сопротивления от температуры