Заключение. Подводя итоги данной бакалаврской работы можно сделать следующие выводы

Подводя итоги данной бакалаврской работы можно сделать следующие выводы:

1 Создана документация к установке Surfscan 6220.

2 Произведена настройка оборудования с учётом полученной документации, в том числе калибровка кассеты под пластины диаметром 100 мм.

3 Проведены эксперименты, показывающие возможность исследовать слои нитрида кремния и оксида кремния на Surfscan.

Список использованных источников

1 URL [https://www.nzpp.ru/index.php].

2 Операционная карта технологического процесса: контроль плёнки нитрида кремния

3 Операционная карта технологического процесса: проверка качества проведения термических операций

4 Курносов А. И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем: Учеб. Пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы». — 3-е изд., перераб. И доп. — М.: Высш шк., 1986. — 386 с., ил.

5 Донован Р. П., Смит А. М., Берри Б. М. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия, М.: Мир, 1969., — 451 с., ил.

6 Дж. Реди Промышленные применения лазеров — М.: Мир, 1981., — 640 с.

7 BidServiceLLC_Catalog_78_plus_Warranty.pdf

Приложение А

(справочное)

Сопроводительный лист

Таблица А.1 — Фрагмент сопроводительного листа

№ Блока по маршруту

№ п/п

Наименование операции (Символом (*) обозначены операции,выполняемые при производственной необходимости по указанию технолога)

Количесво пластин

Контролируемые параметры, режимы, № Уст. № Загр.

Время обработки

Роспись оператора таб №

Пост.

годные

брак

передано на реставр.

Начало

конец

Дата

Спут.

Составление партий пластин

КЭФ 4,5 (100)

Травление диэл. слоев(освеж.)

t= (8-10 c)

Химическая обработка

Проверка чистоты поверхности планарной стороны

N (.) N (.)

Сканирование на SURFSCAN

Химическая обработка

T=850 C N (.) N (.)

Окисел

Окисление первое (h=0,4 мкм)

Сканирование на SURFSCAN

SRD планарная сторона

Сканирование на SURFSCAN

ГМДС

Сканирование на SURFSCAN

Нанесение ф/р Shiple + Т.О №1

Продолжение таблицы А.1

		1 ф/л EVG 620 планарная сторона+ Т.О (120 C)
		2 ф/л EVG 620 планарная сторона+ Т.О (120 C)
		ПХТ окисла
		ПХУ ф/р
		Серно-перекисная обработка
		ПОРЭ
		Сканирование на SURFSCAN
SI3N4		Окисление под SI3N4
		ПА
		Нанесение SI3N4 (0,2)
		SRD планарная сторона	3 пластины (4,5,6)
		Сканирование на SURFSCAN	3 пластины (4,5,6)
		ГМДС	3 пластины (4,5,6)
		Сканирование на SURFSCAN	3 пластины (4,5,6)
		ПА	3 пластины (4,5,6)
		Сканирование на SURFSCAN	3 пластины (4,5,6)