2015-03-27
657
Рассмотрим следующую схему (рис.2). Здесь резистор R к задает нагрузочный режим, т.е. нагрузочную прямую, на которой выбираем рабочую точку "А". Составим уравнение равновесия напряжений по второму правилу Кирхгофа для входной цепи:
.
Отметим, что в данной формуле Е к – задано в исходных данных, ток базы в точке "А" I бА и напряжение база-эмиттер в точке "А" U бэА мы выбираем сами на входной характеристике, ориентируясь на выходную ВАХ (рис.1). Учитывая, что Е к>> U бэА, то ток базы в точке "А" получается фиксированным при заданном напряжении питания, не зависимым от влияния температуры и равным:
.
Недостаток схемы заключается в том, что транзисторы имеют разброс параметров и при замене транзистора надо заново рассчитывать величину базового резистора R б. Заметим также, что причинами температурной нестабильности коллекторного тока являются увеличение обратного коллекторного тока и уменьшение U бэА с увеличением температуры. Данная схема не стабилизирует ни один из этих параметров.
|
|
|
Принято характеризовать влияние изменения обратного тока коллектора I к0 на ток коллектора I к коэффициентом температурной нестабильности S:
.
Для схемы с общим эмиттером
,
где 
.
Здесь R э – сопротивление в цепи эмиттера. В данном случае R э = 0, поэтому D = 0 и, следовательно,
,
где b= h 21э – коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (b= h 21э~100), т.е. коэффициент температурной нестабильности S очень велик.
