Тогда ток коллектора будет

I_к=bI_б+ I_кос откуда b=dI_к/dI_б>>1

Если по второму закону Кирхгофа записать уравнение для выходной цепи для схем А и В, то найдем следующие значения:

r_кэ=r_к/(1+b) т.е. выходное сопротивление уменьшается в (1+b) раз.

С_кэ=С_к(1+b) т.е. выходная емкость увеличивается в (1+b) раз, что ухудшает частотные свойства схемы

I_кос=I_ко(1+b) т.е. увеличивается и обратный ток, что является самым неприятным

У реальных транзисторов b лежит в диапазоне от 100 и более. Частотный диапазон схемы с общим эмиттером примерно на два порядка меньше, чем для схемы с обшей базой.

Схема с общим коллектором имеет те же характеристики, что и схема с общим эмиттером.

ТРАНЗИСТОР КАК ЛИНЕЙНЫЙ 4-ХПОЛЮСНИК

Хотя транзистор имеет нелинейные вольтамперные характеристики, но при усилении малых по амплитуде переменных сигналов можно считать, что транзистор работает в линейном режиме. При этом вольтамперные характеристики апроксимируются прямой линией.

В зависимости от того что выбирают в качестве функции и аргумента можно получить систему из 6-ти уравнений. Самыми распространенными являются системы z-, y- и h-параметров.

Рассмотрим систему z-параметров. В качестве независимых параметров здесь выбирают I_вх и I_вых. Получаем следующую систему уравнений:

U_вх =z₁₁I_вх+z₁₂I_вых

U_вых= z₂₁I_вх+z₂₂I_вых

Где z – коэффициенты уравнения, или параметры 4-хполюсника, или транзистора. Все величины комплексные. Определим физический смысл каждого параметра.

z₁₁= U_вх/I_вх при I_вых=0, т.е. это режим холостого хода. Это входное сопротивление 4-хполюсника или транзистора.

z₁₂= U_вх/I_вых при I_вх=0, т.е. это режим холостого хода на входе. Это обратное переходное сопротивление транзистора.

z₂₁= U_вых/I_вх, при I_вых=0, это прямое переходное сопротивление.

z₂₂= U_вых/I_вых, при I_вх=0, это выходное сопротивление.

Система у-параметров.

В качестве независимых параметров выбирают U_вх и U_вых.

I_вх= y₁₁U_вх+y₁₂U_вых

I_вых=у₂₁U_вх+у₂₂U_вых.

Определим физический смысл у-параметров.

У₁₁= I_вх/U_вх при U_вых=0, т.е. короткое замыкание на выходе. у₁₁ – это входная проводимость.

У₁₂= I_вх/U_вых при U_вх=0, т.е. короткое замыкание на входе. Это обратная переходная проводимость.

у₂₁= I_вых/U_вх при U_вых=0, т.е. короткое замыкание на выходе. Это прямая переходная проводимость.

у₂₂= I_вых/U_вых при U_вх=0, т.е. короткое замыкание на входе. Это выходная проводимость транзистора.

Зная физический смысл z- и у-параметров можно построить эквивалентную электрическую схему транзистора, пользуясь этими параметрами.

Система h-параметров.

В качестве независимых переменных выбирают I_вх и U_вых.

U_вх=h₁₁I_вх+h₁₂U_вых

I_вых=h₂₁I_вх+h₂₂U_вых

Физический смысл h-параметров.

h₁₁= U_вх/I_вх при U_вых=0, т.е. коротком замыкании на выходе. Это входное сопротивление транзистора.

h₁₂= U_вх/U_вых при I_вх=0, т.е. холостом ходе на входе. Это коэффициент обратной связи по напряжению.

h₂₁= I_вых/I_вх при U_вых=0, т.е. коротком замыкании на выходе. Это коэффициент передачи по току.

h₂₂= I_вых/ U_вых при I_вх=0, т.е. холостом ходе на входе. Это выходная проводимость.

Между системами z-,y-,h-параметров имеется связь, т.к. мы рассматриваем один и тот же 4-хполюсник. Например,

h₂₂=y₂₂=1/z₂₂