МДП-структуры транзисторов для СБИС

Для реализации сверхбольших интегральных схем (СБИС) были созданы сверхминиатюрные полевые микротранзисторы.

Они делаются с применением нанотехнологий с геометрическим разрешением менее 100 нм. У таких приборов толщина подзатворного диэлектрика доходит до нескольких атомных слоев.

Используются различные, в том числе трехзатворные структуры. Приборы работают в микромощном режиме.

В современных микропроцессорах корпорации Intel число приборов составляет от десятков миллионов до единиц миллиардов.

Новейшие полевые микротранзисторы выполняются на напряженном кремнии, имеют металлический затвор и используют новый запатентованный материал для подзатворного диэлектрика на основе соединений гафния.

" напряженный кремний " (strained silicon) - специалисты корпорации Intel предложили способ растянуть кристаллическую решетку транзистора, тем самым увеличить расстояние между атомами, а значит, и облегчить прохождение носителей заряда (технология дает 20-30%-ный выигрыш)