2015-03-27
1030
Планарный MOSFET транзистор с горизонтальным каналом, изготовленный методом литографии (рис.11.1 б) имеет ряд недостатков.
Сопротивление канала пропорционально длине канала а крутизна стоко-затворной характеристики обратно пропорциональна длине.
Кроме того короткий канал позволяет сократить размеры транзистора. На смену горизонтальному каналу пришел MOSFET с вертикальным каналом (рис.11.1а) и его разновидность V- образный МОП (рис.11.1в)
! Отличием от ранее рассмотренных структур является наличие легированной области для создания канала.
Положительное напряжение на затворе относительно стока вызывает инверсию p- области (индуцированный канал n –типа).
Недостатком структуры является наличие (рис.11.1а) сопутствующей “паразитной” биполярной структуры – n+ исток (Э), p-канальная область (Б) и n- n+ - стоковая область (К).
Существует вероятность пробоя биполярной структуры.
Уменьшение влияния ” биполярной структуры”- соединения эмиттера и базы металлическим электродом истока на поверхности MOSFET (перекрытие n+ и p областей).
|
|
|
Рис. 11.1 Структуры мощных FET транзисторов, а - вертикальный канал; б - горизонтальный канал;в – V образный с вертикальным каналам.
Остается в структуре внутренний диод - p-канальная область и n- n+ - стоковая область. УГО MOSFET на рис.11.2
Рис. 11.2 УГО MOSFET
