Транзисторы с трёхмерной структурой затвора FinFET

Полевой транзистор с “плавником”

Настал конец масштабирования. Переход от планарной технологии к трёхмерной структуре затвора. Это поможет достигнуть 10нм.

2012-й год

Intel - 22 нанометра процессор, также TSMS (Тайвань),

Samsung Electronics -14 нанометра на этапе, предшествующий изготовлению фотошаблона для печати чипов

Рис. 11.5 Транзисторы с 3-х мерной структурой