Прямосмещенный переход

Напряженность результирующего поля на переходе уменьшится (внешнее и диффузионное поля разнонаправлены).

Е _рез = Е _зап - Е_внеш(4.13)

Дрейфовый ток уменьшится, а диффузионный ток увеличится, в результате чего, динамиче­ское равновесие нарушится и возникнет ток через р-n переход.

Высота потенциального барьера уменьшаетсяя и становится равной:

q(f_k - U_внеш) (4.14)

Ширина p-n перехода при этом уменьшается.

Т.к. потенциальный барьер снизится, то повы­сится число свободных электронов, прони­кающих из слоя n в слой р, и дырок из слоя р в слой n – в этом случае происходит инжекция неосновных носителей заряда.

а) б) в)

Рис. 4.6 Зонные диаграммы p-n перехода

Инжекция - появление в слое полупроводника неосновных носителей заряда. Этот ток называется прямым током, а включение р-n перехода - прямым включением.