2015-04-01
584
. Формируются в одном из диффузионных слоев (эмиттерном или базовом) транзистора (эмиттерном или базовом). Диффузионные (полупроводниковые) резисторы имеют малые размеры и сопротивление от 25 Ом до 25 кОм.
Кроме этого при формировании интегральных микросхем вообще и микросхем с диффузионными резисторами в частности в структуре интегральной микросхемы образуются паразитные элементы, которые могут нарушить нормальную работу интегральной микросхемы.
Несмотря на отмеченные недостатки, диффузионные резисторы широко применяют в интегральных микросхемах, так как их формирование не требует дополнительных технологических операций и не удорожает схему.
Конденсаторы диффузионные.
Они бывают диффузионные, металл-оксидно полупроводниковые.
Емкость диффузионных конденсаторов является функцией площади p-n перехода, концентрацией примесей и приложенного напряжения.
Точность +/- 20%. Емкость таких конденсаторов до 1000 пФ.
Они имеют следующие разновидности: диффузионные, металл-оксидно-полупроводниковые (МОП-конденсаторы) и тонкопленочные.
|
|
|
Структуры диффузионных транзисторов.
МОП конденсаторы. Создаются непосредственно на полупроводниковой пластине; диэлектриком здесь является слой диоксида кремния, одним из электродов является область кремния n+ типа, лежащая под оксидом. Другим — проводящая пленка алюминия, нанесенная на слой оксида. Емкость такого конденсатора от 300 до 1000 пФ.
МДП конденсатор на рис. 2.4
